CN1901162B 连续电镀制作线路组件的方法及线路组件结构 （米辑电子股份有限公司）.docxVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利

(10)授权公告号CN1901162B

(45)授权公告日2011.04.20

(21)申请号200610099491.5

(22)申请日2006.07.24

(30)优先权数据

60/701,8492005.07.22US

(73)专利权人米辑电子股份有限公司地址中国台湾

(72)发明人林茂雄罗心荣周秋明周健康

(74)专利代理机构北京科龙寰宇知识产权代理有限责任公司11139

代理人孙皓晨

(51)Int.CI.

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21/822(2006.01)

21/768(2006.01)

21/60(2006.01)

27/04(2006.01)23/522(2006.01)

23/485(2006.01)

(56)对比文件

US2004/0009629A1,2004.01.15,全文.审查员柴春英

权利要求书3页说明书16页附图44页

(54)发明名称

连续电镀制作线路组件的方法及线路组件结构

(57)摘要

CN1901162B本发明提供一种形成覆盖有聚酰亚胺(polyimide,PI)的连续电镀结构的方法，其包括(a)提供一半导体基底；(b)在该半导体基底上形成一黏着/阻障层；(c)在该黏着/阻障层上形成多个金属线路层(metaltrace);(d)在该些金属线路层中选择一目标区域做为接垫，并在该接垫上形成一金属层；(e)去除未被覆盖的该黏着/阻障层；以及(f)形成一聚酰亚胺在该半导体基底

CN1901162B

CN1901162B权利要求书1/3页

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1.一种连续电镀制作线路组件的方法，其特征在于，包括下列步骤：

提供一半导体基底、一细联机结构及一保护层，其中该细联机结构位于该半导体基底上，该保护层位于该细联机结构上，该细联机结构是由多个厚度小于3微米的薄膜绝缘层及厚度小于3微米的细线路层所构成；

形成一第一金属层在该保护层之上；

在形成该第一金属层的步骤之后，形成一第一光刻胶层在该第一金属层上，且位于该第一光刻胶层内的一第一开口暴露出该第一金属层；

在形成该第一光刻胶层的步骤之后，形成一第二金属层在该第一开口内；

在形成该第二金属层的步骤之后，去除该第一光刻胶层；

在去除该第一光刻胶层的步骤之后，形成一第一聚合物层在该第一金属层及该第二金属层上；

在形成该第一聚合物层的步骤之后，图案化该第一聚合物层使部分该第一金属层及部分该第二金属层的顶端暴露出，其中该第二金属层的周缘仍包覆该第一聚合物层，且位于该第二金属层上的该第一聚合物层具有一第二开口暴露出该第二金属层的部分顶端；以及

在图案化该第一聚合物层的步骤之后，去除未在该第二金属层及该第一聚合物层下的该第一金属层。

2.如权利要求1所述的连续电镀制作线路组件的方法，其特征在于，该保护层包括厚度介于1000埃至15000埃之间的氮硅化合物层、磷硅玻璃层、氧硅化合物层及氮氧硅化合物层其中之一或组成。

3.如权利要求1所述的连续电镀制作线路组件的方法，其特征在于，还包括下列步骤：

形成厚度介于2微米至50微米之间的一第二聚合物层在该保护层上；以及

在形成该第二聚合物层的步骤之后，形成该第一金属层在该第二聚合物层上，且该第一金属层接触该第二聚合物层。

4.如权利要求1所述的连续电镀制作线路组件的方法，其特征在于，形成该第一金属层的步骤包括溅镀厚度介于400埃至7000埃之间的钛钨合金层、钛金属层、氮化钛层、钽金属层、氮化钽层、铬金属层、铬铜合金层其中之一或组成在该保护层之上。

5.如权利要求1所述的连续电镀制作线路组件的方法，其特征在于，形成该第二金属层的步骤包括电镀形成厚度介于1微米至50微米之间的金金属层、铜金属层、银金属层、镍金属层其中之一。

6.如权利要求1所述的连续电镀制作线路组件的方法，其特征在于，还包括在去除未在该第二金属层及该第一聚合物层下的该第一金属层的步骤之后，切割该半导体基底。

7.如权利要求1所述的连续电镀制作线路组件的方法，其特征在于，还包括下列步骤：

在图案化该第一聚合物层的步骤之后，形成一第二光刻胶层在暴露出的该第一金属层上以及在该第二开口所暴露出的该第二金属层的部分顶端上，且位于该第二光刻胶层内的一第三开口暴露出该第二开口所暴露出的该第二金属层的部分顶端；