CN1905176A 线路组件结构及其制作方法 （米辑电子股份有限公司）.docxVIP

[19]中华人民共和国国家知识产权局

[12]发明专利申请公布说明书

[21]申请号200610099174.3

[51]Int.Cl.

HO1L23/485(2006.01)H01L21/60(2006.01)

HO1L21/28(2006.01)

[43]公开日2007年1月31日[11]公开号CN1905176A

[22]申请日2006.7.31

[21]申请号200610099174.3

[30]优先权

[32]2005.7.29[33]US[31]60/703,933

[32]2005.7.29[33]US[31]60/703,932

[32]2006.5.17[33]US[31]11/383,762

[71]申请人米辑电子股份有限公司地址中国台湾

[72]发明人林茂雄罗心荣周秋明周健康陈科宏

[74]专利代理机构北京科龙寰宇知识产权代理有限责任公司

代理人孙皓晨

权利要求书4页说明书36页附图101页

[54]发明名称

线路组件结构及其制作方法

[57]摘要

本发明涉及一种线路组件结构及其制作方法，其结构在此半导体基底的顶部表面上设有至少一接垫；一保护层(passivationlayer)是位于半导体基底的顶部表面上，且位于此保护层内的至少一开口暴露出接垫；及一金属层是堆栈形成在接垫上。

200610099174.3权利要求书第1/4页

2

1.一种线路组件结构，其特征在于，包括：

一半导体基底；

至少一铜接垫，位于该半导体基底上；

一保护层，位于该半导体基底上，且位于该保护层内的至少一开口暴露出该铜接垫；以及

一第一金属层，位于该铜接垫上，且该第一金属层的厚度大于1.6微米，其中该第一金属层包括一钯层或一铂层。

2.根据权利要求1所述的线路组件结构，其特征在于，还包括复数介电常数值(k)介于1.5至3的薄膜绝缘层及复数薄膜线路层，位于该半导体基底上，该些薄膜线路层位于该些薄膜绝缘层之间，并透过位于该些薄膜绝缘层内的复数导通孔连通相邻两层的该些薄膜线路层。

3.根据权利要求1所述的线路组件结构，其特征在于，还包括含钽之一金属层包覆该铜接垫的下表面及侧壁。

4.根据权利要求1所述的线路组件结构，其特征在于，该保护层包括一第一氮硅化合物层、位于该第一氮硅化合物层上之一氧硅化合物层及位于该氧硅化合物层上的一第二氮硅化合物层，其中该第一氮硅化合物层、该氧硅化合物层及该第二氮硅化合物层的厚度是介于0.2微米至1.2微米之间。

5.根据权利要求1所述的线路组件结构，其特征在于，该保护层包括厚度介于0.2微米至1.2微米之间的一氮硅化合物层。

6.根据权利要求1所述的线路组件结构，其特征在于，该保护层包括厚度介于0.05微米至0.15微米之间的一氮氧硅化合物层。

7.根据权利要求1所述的线路组件结构，其特征在于，该保护层包括一氮氧硅化合物层、位于该氮氧硅化合物层上的一第一氧硅化合物层、位于该第一氧硅化合物层上的一氮硅化合物层及位于该氮硅化合物层上之一第二氧硅化合物层。

8.根据权利要求1所述的线路组件结构，其特征在于，还包括厚度是介于0.1微米至10微米之间的一镍层，位于该第一金属层与该铜接垫之间。

9.根据权利要求1所述的线路组件结构，其特征在于，还包括厚度是介于0.1微米至10微米之间的一铜层，位于该第一金属层与该铜接垫之间。

200610099174.3权利要求书第2/4页

3

10.根据权利要求1所述的线路组件结构，其特征在于，还包括一钛层、一氮化钛层、一钛钨合金层、一铬铜合金层、一钽层或一氮化钽层其中之一，位于该第一金属层与该铜接垫之间。

11.一种线路组件结构，其特征在于，包括：

一半导体基底；

一第一铜接垫，位于该半导体基底上；

一保护层，位于该半导体基底上，且位于该保护层内之一第一开口暴露出该第一铜接垫；以及

一金属线路，位于该保护层上，且该金属线路包括一第一金属层，其中该第一金属层包括一钯层或一铂层。

12.根据权利要求11所述的线路组件结构，其特征在于，还包括复数介电常数值(k)介于1.5至3的薄膜绝缘层及复数薄膜线路层，位于该半导体基底上，该些薄膜线路层