CN1883038A 低介电常数介质层的制作方法 （皇家飞利浦电子股份有限公司）.docxVIP

[19]中华人民共和国国家知识产权局

[12]发明专利申请公开说明书

[21]申请号200480034184.8

[51]Int.Cl.

HO1L21/312(2006.01)

HO1L21/316(2006.01)

[43]公开日2006年12月20日[11]公开号CN1883038A

[22]申请日2004.9.18

[21]申请号200480034184.8

[30]优先权

[32]2003.9.19[33]US[31]60/504,452

[86]国际申请PCT/IB2004/0517932004.9.18

[87]国际公布WO2005/029567英2005.3.31

[85]进入国家阶段日期2006.5.19

[71]申请人皇家飞利浦电子股份有限公司地址荷兰艾恩德霍芬

[72]发明人H·萨赫德夫G·梁J·拉普M·马特拉一龙戈N·萨马S·梅斯纳

[74]专利代理机构中国专利代理(香港)有限公司代理人程天正王忠忠

权利要求书1页说明书5页附图2页

[54]发明名称

低介电常数介质层的制作方法

[57]摘要

一种淀积介质材料的方法(100),包括提供(101)其上至少具有一个层的衬底。此方法还包括用一种物质预先浸润(102)顶层的顶部表面；甩涂(103)一种溶液；以及形成(104)介质材料。此介质材料示例性是比较多孔且介电常数比较低的二氧化硅。此预先浸润导致加工成本由于减少了溶液损耗而得到降低。而且，介质层(209)具有改进了的厚度均匀性。

100

101

101

102

103

104

105

200480034184.8权利要求书第1/1页

2

1.一种淀积介质材料的方法100,此方法包含：提供101其上至少具有一个层的衬底；用一种物质预先浸润102顶层的顶部表面；甩涂103一种溶液；以及形成104介质材料。

2.权利要求1所述的方法，其中的物质包括六甲基二硅氧烷(硅氧烷)。

3.权利要求1所述的方法，其中的溶液包括氢倍半硅氧烷(HSQ)。

4.权利要求3的方法，其中，溶液的溶剂是硅氧烷。

5.权利要求1所述的方法，其中，预先浸润还包含在淀积物质时旋转晶片。

6.权利要求1所述的方法，其中的介质材料是二氧化硅。

7.权利要求2所述的方法，其中的方法还包含，在预先浸润之前，用六甲基二硅氮烷(HMDS)的蒸汽对晶片进行打底，并在所述打底之后和所述预先浸润之前，对衬底进行加热。

8.权利要求1所述的方法，其中的物质是八甲基三硅氧烷。

9.权利要求1所述的方法，其中的物质是十甲基四硅氧烷。

10.权利要求2所述的方法，其中的物质包括八甲基三硅氧烷。

11.一种半导体结构201,它包含排列在衬底202、203、204上的一层多孔低k介质材料209,其中，此材料具有横跨此层的厚度，且此厚度具有横跨表面的均匀性，其标准偏差为+0.728%。

12.权利要求11所述的半导体结构，其中的表面是晶片的顶部表面。

13.权利要求11所述的半导体结构，其中的层是层间介质层。

14.权利要求11所述的半导体结构，其中的层是层内介质层。

15.权利要求11所述的半导体结构，其中的层的介电常数在大约

2.0-3.8的范围内。

200480034184.8说明书第1/5页

3

低介电常数介质层的制作方法

互连技术经常地受到挑战，要在甚大规模和超大规模集成电路亦即VLSIIC和ULSIIC中分别满足对高元件密度和高性能的日益增长的要求。

众所周知，电路的速度反比于IC的电路电阻(R)与互连的电容(C)的乘积而变化。这一所谓RC时间常数必须尽可能小，以便促进适当的信号传输和开关速度，并尽可能降低信号串扰。

随着对IC中更高集成度和元件小型化的日益增长的要求，对系统速度的一个主要限制因素可能是IC的RC限制。因此，在减小IC互连的电阻和电容方面存在着很大的兴趣。

减小IC互连的RC时间常数的一种方法是利用介电常数(E,或k)比较低的层间和层内介质(ILD)来减小IC的各种元件之间产生的电容。这些材料的介电常数通常小于致密的二氧化硅的介电常数3.9.

一种低kILD是