CN1899958A 碳纳米管阵列制作方法 （清华大学）.docxVIP

[19]中华人民共和国国家知识产权局

[12]发明专利申请公布说明书

[21]申请号200510036148.1

[51]Int.Cl.

C01B31/02(2006.01)B82B3/00(2006.01)

[43]公开日2007年1月24日[11]公开号CN1899958A

[22]申请日2005.7.22

[21]申请号200510036148.1

[71]申请人清华大学

地址100084北京市海淀区清华大学物理系

共同申请人鸿富锦精密工业(深圳)有限公司[72]发明人刘亮范守善

权利要求书1页说明书9页附图5页

[54]发明名称

碳纳米管阵列制作方法

[57]摘要

本发明涉及一种碳纳米管阵列制作方法，其步骤包括：提供一基底，在该基底上形成一遮挡层；提供一催化剂溅射源，配合遮挡层在基底上溅射出一具有厚度梯度的催化剂层，并且在所述厚度梯度范围内，有一处的厚度最接近一最佳厚度；去除遮挡层，退火处理所述催化剂层；通入碳源气，在上述处理后的催化剂层上生长碳纳米管阵列，该碳纳米管阵列向背离所述最佳厚度的方向弯曲生长。通过上述碳纳米管阵列制作方法可实现对碳纳米管阵列局部至少向一个方向弯曲生长的控制。

200510036148.1权利要求书第1/1页

2

1.一种碳纳米管阵列制作方法，其步骤包括：

提供一基底，在该基底上形成一遮挡层；

提供一催化剂溅射源，配合遮挡层在基底上溅射出一具有厚度梯度的催化剂层，并且在所述厚度梯度范围内，有一处的厚度最接近一最佳厚度；去除遮挡层，退火处理所述催化剂层；

通入碳源气，在上述处理后的催化剂层上生长碳纳米管阵列，该碳纳米管阵列向背离所述最佳厚度的方向弯曲生长。

2.如权利要求1所述的碳纳米管阵列制作方法，其特征在于退火处理催化剂层前先将所述催化剂层定义出至少一催化剂区块，该催化剂区块具有一第一端部和一与该第一端部相对的第二端部，确保该催化剂区块由该第一端部向一第二端部逐渐增厚，且在该第一端部至第二端部的范围内有一处的厚度最接近所述最佳厚度。

3.如权利要求1所述的碳纳米管阵列制作方法，其特征在于所述遮挡层为厚膜光刻胶，附着在一牺牲层上的金属及其氧化物或氮化物，或镂空模板。

4.如权利要求1所述的碳纳米管阵列制作方法，其特征在于所述催化剂溅射源包括点催化剂溅射源、线型催化剂溅射源及面型催化剂溅射源。

5.如权利要求1所述的碳纳米管阵列制作方法，其特征在于所述的催化剂层较薄处的厚度范围为1-10纳米，较厚处的厚度范围为5-20纳米。

6.如权利要求1所述的碳纳米管阵列制作方法，其特征在于最佳厚度的确定方法包括步骤：在一硅基底上、配合一遮挡层溅射催化剂，形成厚度从薄到厚变化的催化剂层；在预定条件下用化学气相沉积法生长碳纳米管阵列；用显微镜观测得碳纳米管生长最高的位置；该位置的催化剂层厚度即为该预定条件下的最佳厚度。

7.如权利要求1所述的碳纳米管阵列制作方法，其特征在于所述基底材质包括多孔硅、抛光硅片、玻璃及金属。

8.如权利要求1所述的碳纳米管阵列制作方法，其特征在于所述催化剂层材质为铁、钴、镍或其合金之一。

200510036148.1说明书第1/9页

3

碳纳米管阵列制作方法

【技术领域】

本发明关于一种碳纳米管阵列制作方法。

【背景技术】

由于碳纳米管独特的电学性质，其在纳米集成电路、单分子器件等领域的应用有着不可估量的前景。目前人们已经能够在实验室里少量制造基于碳纳米管的场效应管、或非门等器件，并研究它的性质。但大规模的制备和具有实际意义的应用则必须求助于由下而上(BottomUp)的制备工艺。

由下而上的制备工艺要求能够对碳纳米管的生长位置、方向、尺度、甚至碳纳米管的螺旋度进行必要的控制，通过少量而经济的步骤直接生长出所需要的器件结构。控制碳纳米管阵列的生长方向是碳纳米应用研究中的一个重要课题。范守善等人在Science283,512-514(22Jan1999),Self-OrientedRegularArraysofCarbonNanotubesandTheirFieldEmissionProperties一文中揭露了通过催化剂图形(Patterned