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- 2026-02-25 发布于重庆
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[19]中华人民共和国国家知识产权局
[12]发明专利申请公布说明书
[21]申请号200580011761.6
[51]Int.Cl.
B81B3/00(2006.01)
H01H1/00(2006.01)
B81C1/00(2006.01)
[43]公开日2007年8月15日[11]公开号CN101018734A
[22]申请日2005.2.17
[21]申请号200580011761.6
[30]优先权
[32]2004.2.20[33]US[31]10/783,772
[32]2004.11.20[33]US[31]10/994,703
[86]国际申请PCT/US2005/0052722005.2.17
[87]国际公布WO2005/082774英2005.9.9
[85]进入国家阶段日期2006.10.19
[71]申请人无线微机电有限公司地址美国加利福尼亚州
[72]发明人周嘉兴
[74]专利代理机构中科专利商标代理有限责任公司代理人王波波
权利要求书12页说明书31页附图37页
[54]发明名称
微机电系统开关的制作方法和微机电器件及其制作方法
[57]摘要
一种用来使机电器件准平面化、并在所述机电器件上形成耐用金属接触点的方法、以及使用所述方法制作的器件。所述方法的两个主要方面包括:在衬底上形成平面化的介电/导电层,以及在微机电开关的电枢上形成电极,其中电极如此形成使得其与电枢的结构层互锁以便确保经过多次开关使用后仍可与电枢保持接触。本发明也涉及用于制作具有公共接地平面的微机电开关的系统和方法。制作微机电开关的方法包括:在衬底上制作公共接地平面层的图案;在公共接地平面层上形成介电层;沉积DC电极区,通过介电层与公共接地平面层接触;以及在DC电极区上沉积导电层,使得导电层区接触DC电极区,从而使得公共接地平面层为导电层区提供公共接地。
200580011761.6权利要求书第1/12页
2
1.一种用来使机电器件准平面化并在机电器件上形成耐用金属接触点的方法,包括操作:
在具有衬底面积的衬底上沉积具有厚度和面积的介电层;
在介电层上沉积第一光刻胶膜,并制作图案,并留下暴露的电极区;
刻蚀透电极区内的介电层一部分面积的至少一部分厚度,在介电层中形成电极空间;
在第一光刻胶膜和介电层上沉积第一导电层,使得在介电层的电极空间中形成第一导电层的部分;
除去第一光刻胶膜,从而除去第一光刻胶膜上驻留的的第一导电层的一部分;
在介电层和第一导电层上沉积牺牲层,所述牺牲层具有厚度;
刻蚀透牺牲层到电极区,以便暴露出电极区中的第一导电层的部分,从而形成锚点;
在牺牲层和锚点上沉积绝缘第一结构层,所述绝缘第一结构层具
有面积;
刻蚀透绝缘第一结构层穿过至少锚点的部分,使得暴露出第一导电层的部分,以及在顶部电极点刻蚀透绝缘第一结构层和牺牲层的部分厚度,以便限定出顶部电极空间,所述顶部电极空间穿过绝缘第一结构层、进入牺牲层、并贴近电极区;
在绝缘第一结构层上沉积第二光刻胶膜,第二光刻胶膜按照图案而沉积,以便形成隔离区,用来电绝缘机电器件需要的区域以及分离需要的器件;
在绝缘第一结构层、第一导电层的暴露部分、以及顶部电极空间中沉积导电第二结构层,所述导电第二结构层具有面积;
除去第二光刻胶膜,以便消除导电第二结构层的不需要的部分,为了电绝缘机电器件的需要区域以及分离需要的器件;
在机电器件上沉积横跨衬底面积的绝缘第三结构层,所述绝缘第
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三结构层具有面积;
在机电器件上沉积横跨衬底区域的第三光刻胶膜,并且第三光刻胶膜形成图案,以通过选择性曝光的方式来限定需要的器件形状;以及
选择性地刻蚀透绝缘第一结构层以及绝缘第三结构层的暴露的
部分,以便分离出具有需要的形状的机电器件。
2.如权利要求1所述的方法,还包括操作:除去牺牲层,由底部区释放出驱动部分,其中驱动部分包括导电第二结构层、绝缘第三结构层和绝缘第一结构层的部分,并且所述底部区包括衬底、介电层以及电极区。
3.如权利要求2所述的方法,还包括操作:形成穿过驱动部分的各部分的孔洞。
4.一种具有耐用金属接触点的
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