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存储和半导体设备，假期又创新高了

春节这几天，海外存储和半导体设备板块没闲着。海力士、美光股价继续往上走，ASML订单超预期，泛林业绩指引大超市场预期。听了几场电话会，整理了一下思路，供参考。（文章中提到的股票名称均为举例所用，并非荐股）

01存储：供不应求至少持续到2027年

现在的存储行业是什么状态？供不应求，而且这个状态至少会持续到2027年以后。2026年全年都会维持这个局面，伴随着价格上涨，景气度持续往上走。

需求侧的动力来自几个方面。AI大模型迭代，参数量增加，token数量增长，上下文窗口变长，推理侧需求爆发，Agent调用越来越频繁，这些都在加速存储需求增长。CSP厂商的资本开支也超预期，2026年全球主要云厂商资本开支大约6500多亿美金，同比增长60%多，远超之前市场预期的30%多。这里面大部分是用于存储采购。

数据中心已经成为NAND最大的下游应用。原来预期数据中心NAND出货容量增长45%，现在这个数字提升到了65%左右。英伟达的Rubin平台还会额外增加NAND需求，预计2027年增加75到100EB，2028年再翻一倍，到2027年能占到市场10%左右的份额。

DRAM这边，HBM跟着英伟达产品迭代，从HBM3E到HBM4再到HBM4E，容量和用量都在显著增长。HBM和普通DRAM的wafer消耗比例是3比1，到HBM4/4E还会更高，这对传统DRAM产能形成挤压，拉动整体DRAM需求。

供给侧呢？2026年新增产能有限。三星、海力士、美光、闪迪、铠侠，还有国内的长存长鑫，扩产动作的产能释放大多要到2027年下半年以后。美光的新加坡NAND工厂要到2028年下半年投产，爱达荷州的DRAM一号工厂2027年下半年投产。新增产能远低于需求增速。

价格趋势也很明确。TrendForce调整后的一季度指引，NAND涨幅50%到60%，DRAM涨幅90%以上。二季度涨幅可能还会超预期，现在是卖方市场，原厂话语权很强。库存方面，海力士DRAM和NAND库存只有四周左右，美光库存也很低，而且没有overbooking，订单都来自真实需求。

海外存储厂商现在的估值，海力士、美光、闪迪、铠侠大约在6到7倍。AI拉动下行业周期性减弱，估值有望提升到15倍左右，存在一倍左右的上涨空间。

国内这边，利基芯片设计公司——NORFlash、利基DRAM、SLCNAND——受AI产能挤占，价格快速上涨。兆易创新、普冉股份、北京君正从2025年四季度开始业绩拐点已经显现，2026年是业绩兑现年，一季度处于业绩加速期。

02半导体设备：AI成为核心增长动力

海外头部设备公司2025年业绩和股价都创了历史新高。

ASML2025年营收接近327亿欧元，同比增长18%。四季度新签订单132亿欧元，创历史新高，其中EUV光刻机订单74亿欧元，远超分析师预期的44亿。2026年AI驱动的光刻机需求占比，将从2025年的35%提升到45%。

泛林集团2025财年营收接近220亿美元，同比增长23%。5纳米以下高端刻蚀设备增长35%，HBM专用刻蚀设备出货增长36%，主要来自海力士和美光的扩产。2026年三季度收入指引54到60亿美元，大超市场预期，AI需求贡献预计超过70%。

后道设备这边，泰瑞达2026年一季度收入指引11.5到12.5亿美元，同比增长67%到82%，远超市场预期的9.5亿美元。二季度所有业务预计同比增长，AI相关业务占比一季度将升至70%。台湾分选机龙头的大功率产品收入占比接近60%。AI驱动下，全球后道设备市场规模比没有AI的时候预计翻倍。

海外设备公司对中国大陆的营收占比，从高峰期的40%以上降到了2026年的20%到25%。原因包括国内晶圆厂囤货更理性，以及出口管制下国产替代挤占份额。

03国内设备材料的机会

国产替代的趋势还在继续。长存的设备国产化率已经比较高，能国产的基本都国产了。长鑫DRAM设备国产化率还低，未来2到3年会因为先进制程受出口管制，大幅提高国产采购比例。7纳米以下先进制程设备国产化率更低，还在工艺验证和产线拉通阶段，中长期有望超预期。

扩产需求方面，AI驱动下全球NAND和DRAM扩产需求达到三倍以上。国内长存长鑫全球市占率还低，叠加设备国产化率低，中长期扩产规模比较积极。

具体方向上，可以关注几类：

存储订单敞口高的设备公司，两存订单占比60%以上的，比如拓荆科技、微导纳米、中微公司。

量检测设备，国产化率低，2026到2027年有望快速替代，比如精测电子、中科飞测。

设备零部件与材料，有耗材和零部件属性，存储敞口高，比如珂玛科技、广钢气体、神工股份。

后道先进封装设备，受益于资本开支上行和国产算力放量，比如金海通、长川科技、华峰测控、强一科技。

假期回来，存储和半导体设备这条线，逻辑比节前