CN107146812A 增强型栅场板GaN基电流孔径异质结场效应器件及其制作方法 （西安电子科技大学）.docxVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN107146812A

(43)申请公布日2017.09.08

(21)申请号201710198248.7

(22)申请日2017.03.29

(71)申请人西安电子科技大学

地址710071陕西省西安市太白南路2号

(72)发明人毛维石朋毫杜鸣郝跃王冲

(74)专利代理机构陕西电子工业专利中心

61205

代理人王品华

(51)Int.CI.

HO1L29/06(2006.01)

HO1L29/40(2006.01)

HO1L21/335(2006.01)

HO1L29/778(2006.01)

权利要求书3页说明书14页附图4页

(54)发明名称

增强型栅场板GaN基电流孔径异质结场效应器件及其制作方法

(57)摘要

CN107146812A本发明公开了一种增强型栅场板GaN基电流孔径异质结场效应器件及其制作方法，其包括：n+型GaN衬底(1)、n型GaN漂移层(2)、n型GaN孔径层(3)、电流阻挡层(4)、GaN沟道层(6)和势垒层(7),势垒层上两侧淀积有源极(11)