CN106683994B 一种p型碳化硅欧姆接触的制作方法 （电子科技大学）.docxVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利

(45)授权

(10)授权公告号CN106683994B公告日2020.01.10

(21)申请号201710020991.3

(22)申请日2017.01.11

(65)同一申请的已公布的文献号申请公布号CN106683994A

(43)申请公布日2017.05.17

(73)专利权人电子科技大学

地址611731四川省成都市高新区(西区)

西源大道2006号

(72)发明人许龙来钟志亲余鹏王文昊张国俊戴丽萍王姝娅王志明宋文平夏万顺

(74)专利代理机构成都弘毅天承知识产权代理有限公司51230

代理人杨保刚

(51)Int.CI.

HO1L21/28(2006.01)

HO1L29/45(2006.01)

(56)对比文件

US2012/0126250A1,2012.05.24,全文.

CN102576729A,2012.07.11,全文.

CN102931054A,2013.02.13,说明书第[0002]-[0033]段.

US2016/0307756A1,2016.10.20,全文.CN105047542A,2015.11.11,全文.

审查员纪金国

权利要求书1页说明书2页附图1页

(54)发明名称

一种P型碳化硅欧姆接触的制作方法

开始

开始

清洗

2

干法刻蚀

蒸发金属

2步退火

结束

CN106683994B(57)摘要本发明涉及微电子技术领域，一种P型碳化硅欧姆接触的制作方法，包括以下步骤：(1)使用标准RCA清洗碳化硅片，并用氮气吹干；(2)采用干法刻蚀在碳化硅外延层表面进行刻蚀；(3)在刻蚀后的碳化硅片上依次淀积金属Ti、Ge、Al、Pt;(4)将碳化硅进行两步快速退火。本发明使用的Pt金属有抗氧化和方便金属键合的作用，Ge金属可以降低退火温度，采用两步快速热退火可以

CN106683994B

(57)摘要

CN106683994B权利要求书1/1页

2

1.一种P型碳化硅欧姆接触的制作方法，其特征在于，所述制作方法包括以下步骤：

步骤(1)使用标准RCA清洗碳化硅片；

步骤(2)将清洗后的碳化硅片用干法刻蚀的方法进行刻蚀；

步骤(3)在刻蚀后的碳化硅片上依次淀积金属Ti、Ge、A1、Pt;

步骤(4)将淀积后的碳化硅进行两步快速退火；

所述步骤(4)中的两步快速退火包括：第一步，将刻蚀完成的碳化硅置于氩气中以50-70℃/s的速度从常温升至400-500℃,并维持50-70s,再以相同速度继续上升至700-900℃,并维持100-150s;第二步，将升温后的碳化硅以平滑的温度降到常温。

2.根据权利要求1所述的P型碳化硅欧姆接触的制作方法，其特征在于，所述步骤(1)中使用标准RCA清洗碳化硅包括以下四步：

第一步，用清洗液A在70-90℃下清洗碳化硅8-12min,所述清洗液A中去离子水、氨水和双氧水以5:1:1的比例配制；

第二步，利用清洗液B在常温下清洗碳化硅10-20s,所述清洗液B中去离子水与氢氟酸以50:1的比例配制；

第三步，利用清洗液C在70-90℃下清洗碳化硅8-12min,所述清洗液C中去离子水、盐酸和双氧水以6:1:1的比例配制；

第四步，用去离子水清洗数遍碳化硅后吹干。

3.根据权利要求1所述的P型碳化硅欧姆接触的制作方法，其特征在于，所述步骤(2)中干法刻蚀是利用SF?/O?通过电感耦合等离子体磁增强刻蚀、反应离子刻蚀机或电感耦合等离子体刻蚀机来进行刻蚀。

4.据权利要求1所述的P型碳化硅欧姆接触的制作方法，其特征在于，所述步骤(3)中淀积金属Ti、Ge、A1、Pt的厚度分别为10-30nm、10-30nm、160-200nm和60-100nm。

CN106683994B说明书1/2页

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一种P型碳化硅欧姆接触的制作方法

技术领域

[0001]本发明涉及微电子技术领域，尤其涉及P型碳化硅欧姆接触的制作方法。

背景技术

[0002]目前，相比于硅，碳化硅具有优异的物理特性：