CN106373884A 复合栅介质GaN基绝缘栅高电子迁移率晶体管的制作方法 （西安电子科技大学）.docxVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN106373884A

(43)申请公布日2017.02.01

(21)申请号201610807890.6HO1L

(22)申请日2016.09.08

(71)申请人西安电子科技大学

地址710071陕西省西安市雁塔区太白南

路2号

(72)发明人祝杰杰马晓华郝跃侯斌杨凌

(74)专利代理机构陕西电子工业专利中心

61205

代理人王品华

(51)Int.CI.

21/335(2006.01)21/285(2006.01)21/02(2006.01)29/423(2006.01)HO1L

21/335(2006.01)

21/285(2006.01)

21/02(2006.01)

29/423(2006.01)

HO1LHO1L

权利要求书2页

29/51(2006.01)

说明书11页附图1页

(54)发明名称

复合栅介质GaN基绝缘栅高电子迁移率晶体管的制作方法

(57)摘要

CN106373884A本发明公开了一种复合栅介质GaN基绝缘栅高电子迁移率晶体管的制作方法，主要解决现有同类器件可靠性低的问题。其制作过程为：在外延基片上制作源、漏电极和有源区电隔离，并生长SiN钝化层；在SiN钝化层上光刻并刻蚀栅槽区域；在栅槽和SiN钝化层上生长AlN介质层，并利用热氧化或等离子辅助氧化工艺将AlN介质层氧化为AlON复合栅介质层；在栅介质层上制作栅电极；在栅电极和栅电极区域外的栅介质层上生长SiN保护层；在SiN保护层上光刻并刻蚀金属互联开孔区；在互联开孔区和未开孔刻蚀的SiN保护层上制作金属互联层，完成器件制作。本发明改

CN106373884A

在

在外延基片上作源电极和照电极

在SN钝化层上光刻并刻蚀棚区域

在完成糊楼刻蚀的样品上生长A介质层

在完成棚电极的样品上生长SN保护层

在SIN保护层上光刻并刻蚀互联开孔区域

在Ga帽层上时有源区的电隔离

在完成电阳离的样品上生长SN化层

在AIN介质岸备

AION复合额介质层

在棚介质限上作棚电极

光刻并参发金属联岚、完政器件润作

CN106373884A权利要求书1/2页

2

1.一种复合栅介质GaN基绝缘栅高电子迁移率晶体管的制作方法，包括如下步骤：

1)在自下而上的依次包括衬底、A1N成核层、GaN缓冲层、A1N插入层、A1GaN势垒层和GaN帽层外延基片的GaN缓冲层上制作源电极和漏电极；

2)在GaN帽层上光刻有源区的电隔离区域，利用感应耦合等离子刻蚀ICP工艺或离子注入工艺制作器件有源区的电隔离；

3)在源电极、漏电极和有源区的GaN帽层上，利用等离子增强化学气相沉积PECVD工艺生长SiN钝化层；

4)在SiN钝化层上光刻栅槽区域，并利用ICP工艺对该栅槽区域内的SiN钝化层进行刻蚀，刻蚀深度至GaN帽层；

5)在栅槽区域的GaN帽层和栅槽区域以外的SiN钝化层上，利用等离子增强原子层沉积PEALD工艺生长厚度为5nm～10nm的A1N介质层；

6)在A1N介质层上，利用热氧化工艺将A1N介质层氧化为A10N复合栅介质层，其氧化的工艺条件如下：

氧化反应气体为02,

衬底温度为600℃,

氧化时间为1h;

7)在A10N复合栅介质层上光刻栅电极区域，并利用电子束蒸发工艺制作栅电极；

8)在栅电极上和栅电极区域以外的SiN钝化层上，利用PECVD工艺生长SiN保护层；

9)在SiN保护层上光刻金属互联开孔区，并利用ICP工艺依次刻蚀掉互联开孔区的SiN保护层、栅介质层、SiN钝化层；

10)在金属互联开孔区和未开孔刻蚀的SiN保护层上光刻金属互联区域，并利用电子束蒸发工艺制作金属互联，用于引出源电极和漏电极，完成器件制作。

2.根据权利要求1所述的方法，其中步骤5)中利用PEALD工艺生长A1N介质层的工艺条件如下：

反应前驱体氮源为N?和H?混合气体或NH?,

反应前驱体金属有机物源为TMA,

衬底温度为300℃,

射频源功率为50W,

反应腔室压力为0.3Torr。

3.一种复合栅介质GaN基绝缘栅高电子迁移率晶体管的制作方法，包括如下步骤：

1)在自下而上的依次包括衬底、A1N成核层、Ga