CN106384748A 一种氧化物薄膜晶体管的制作方法及氧化物薄膜晶体管 （东莞市联洲知识产权运营管理有限公司）.docxVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN106384748A

(43)申请公布日2017.02.08

(21)申请号201610963227.5

(22)申请日2016.11.04

(71)申请人东莞市联洲知识产权运营管理有限公司

地址523000广东省东莞市松山湖高新技

术产业工发区生产力大厦406

(72)发明人李风浪李舒歆

(74)专利代理机构北京众合诚成知识产权代理有限公司11246

代理人连平

(51)Int.CI.

HO1LHO1L

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29/786(2006.01)

21/336(2006.01)

29/22(2006.01)

29/10(2006.01)

权利要求书2页说明书5页

附图3页

(54)发明名称

一种氧化物薄膜晶体管的制作方法及氧化物薄膜晶体管

(57)摘要

CN106384748A本发明涉公开了一种氧化物薄膜晶体管的制作方法及氧化物薄膜晶体管，其于形成过程中依次形成第一半氧化物半导体层、第二半氧化物半导体层以及第三半氧化物半导体层，第三半氧化物半导体层中形成第一通孔，在第三氧化物半导体层上以及第一通孔内的刻蚀阻挡层，两个贯穿孔贯穿刻蚀阻挡层、第三氧化物半导体层以及第二氧化物半导体层的位于第一通孔两侧，源极和漏极形成在刻蚀阻挡层上，通过两个贯穿孔与

CN106384748A

CN106384748A权利要求书1/2页

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1.一种氧化物薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：

(1)在基板上依次形成栅极材料层和栅绝缘材料层，并进行图形化，得到栅极和栅绝缘层。

(2)在栅绝缘层上形成电导率为a的第一氧化物半导体层材料层；

(3)在第一氧化物半导体材料层上形成电导率为b的第二氧化物半导体材料层，ba;

(4)在第二氧化物半导体材料层上形成电导率为c的第三氧化物半导体材料层，ca,并进行图形化，得到第一氧化物半导体层、第二氧化物半导体层以及第三氧化物半导体层，第三氧化物半导体层中形成一个第一通孔；

(5)在第三氧化物半导体层上以及第一通孔内形成刻蚀阻挡材料层，并进行图形化，在刻蚀阻挡材料层上形成位于第一通孔两侧的两个第二通孔，形成刻蚀阻挡层；

(6)沿着所述刻蚀阻挡层中的两个第二通孔进一步图形化穿透第三氧化物半导体材层以及第二氧化物半导体层，形成两个贯穿孔，漏出第一氧化物半导体层；

(7)在所述刻蚀阻挡层上形成电极材料层，并进行图形化，得到源极和漏极，源极和漏极通过两个贯穿孔与第一氧化物半导体层相连。

2.根据权利要求1所述的氧化物薄膜晶体管的制作方法，其特征在于：所述第一氧化物半导体层材料为氧化铟镓锌，所述第二氧化物半导体层材料为氧化镓锌，所述第三氧化物半导体层材料氧化铟锌。

3.根据权利要求1所述的氧化物薄膜晶体管的制作方法，其特征在于：所述第一半氧化物半导体层与所述第二半氧化物半导体层之间形成第四半氧化物半导体层，所述第四半氧化物半导体层电导率为d,da。

4.根据权利要求3所述的氧化物薄膜晶体管的制作方法，其特征在于：所述第四半氧化物半导体层材料为氧化镓锌。

5.根据权利要求1所述的氧化物薄膜晶体管的制作方法，其特征在于：所述栅绝缘层和所述第一半氧化物半导体层之间形成第五半氧化物半导体层，第五半氧化物半导体层电导率为e,ea。

6.根据权利要求5所述的氧化物薄膜晶体管的制作方法，其特征在于：所述第五半氧化物半导体层材料为氧化镓锌。

7.根据权利要求1所述的氧化物薄膜晶体管的制作方法，其特征在于：所述栅极、所述源极以及所述漏极材料为：铝，铜，钼，钛，银，金，钽，钨，铬或其合金。

8.一种氧化物薄膜晶体管，包括：基板，在基板上的栅极，在基板上覆盖栅极以及基板的栅绝缘层，在栅绝缘层上的第一半氧化物半导体层，其特征在于：还包括第一半氧化物半导体层上的第二半氧化物半导体层，第二半氧化物半导体层上的第三半氧化物半导体层，第三半氧化物半导体层中的第一通孔，在第三氧化物半导体层上以及第一通孔内的刻蚀阻挡层，贯穿刻蚀阻挡层、第三氧化物半导体层以及第二氧化物半导体层的位于第一通孔两侧的两个贯穿孔，源极和漏极形成在刻蚀阻挡层上，通过两个贯穿孔与第一氧化物半导体层相连。

9.根据权利要求8所述的氧化物薄膜晶体管，其特征在于：所述第一半氧化物半导体层与所述第二半氧化物半导体层之间形成第四半氧化物半导体层，第四半氧化物半导体