CN107731909A 基于MoO3-Al2O3双层栅介质的金刚石场效应晶体管及制作方法 （西安电子科技大学）.docxVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN107731909A

(43)申请公布日2018.02.23

(21)申请号201710923085.4

(22)申请日2017.09.30

(71)申请人西安电子科技大学

地址710071陕西省西安市雁塔区太白南

路2号

(72)发明人张金风陈万娇任泽阳张进成郝跃

(74)专利代理机构陕西电子工业专利中心

61205

代理人王品华朱红星

(51)Int.CL.

HO1LHO1L

HO1LHO1L

29/51(2006.01)

29/78(2006.01)21/336(2006.01)21/04(2006.01)

权利要求书2页说明书5页

附图2页

(54)发明名称

基于MoO?/Al?O?双层栅介质的金刚石场效应晶体管及制作方法

(57)摘要

CN107731906A本发明公开了一种基于MoO?/Al?O?双层栅介质的金刚石金属氧化物半导体场效应晶体管，主要解决现有器件导通电阻大，输出电流和跨导小以及击穿电压低的问题。其自下而上包括金刚石衬底(1)、吸附层(2)和栅介质层(3),栅介质层(3)的上面是栅电极(4),栅介质层(3)的两侧设有源漏电极(5),栅电极(4)和源漏电极(5)的表面覆盖有钝化层(6),钝化层(6)与栅电极(4)和源漏电极(5)的键合处分别设有通孔(7)。其中栅介质层(3)采用MoO?/Al?0?双层结构，钝化层(6)采用MoO?材料，本发明降低了器件的导通电阻和

CN107731906A

CN107731909A权利要求书1/2页

2

1.一种基于MoO?/Al?O?双层栅介质的金刚石金属氧化物半导体场效应晶体管，自下而上包括金刚石衬底(1)、吸附层(2)和栅介质层(3),栅介质层(3)的上面是栅电极(4),栅介质层(3)的两侧设有源漏电极(5),栅电极(4)和源漏电极(5)的表面覆盖有钝化层(6),钝化层(6)与栅电极(4)和源漏电极(5)的键合处分别设有通孔(7),其特征在于：

栅介质层(3)采用MoO?/Al?O?双层栅介质，

钝化层(6)采用MoO?材料。

2.根据权利要求1所述的场效应晶体管，其特征在于，衬底(1)采用单晶或者多晶金刚石。

3.根据权利要求1所述的场效应晶体管，其特征在于，栅介质层(3)中的MoO?层厚度为5~40nm,Al?03层厚度为5～50nm。

4.根据权利要求1所述的场效应晶体管，其特征在于，栅电极(4)采用厚度为80～180nm金属A1。

5.根据权利要求1所述的场效应晶体管，其特征在于，源漏电极(5)采用厚度为80~180nm的金属Au。

6.根据权利要求1所述的场效应晶体管，其特征在于，钝化层(6)采用厚度为30～100nm的过渡金属氧化物MoO?。

7.一种基于MoO?/Al?O?双层栅介质的金刚石场效应晶体管的制造方法，包括如下步骤：

1)采用微波等离子体化学气相沉积MPCVD方法生长出的单晶或多晶金刚石作为器件的衬底；

2)在800～950℃温度下，将金刚石衬底置于氢等离子中5～30min,使金刚石表面形成氢终端，氢终端表面吸附空气中的活性物质形成吸附层；

3)在氢终端表面热蒸发淀积上一层80～180nm厚的金膜，以与氢终端表面形成欧姆接触；

4)光刻出隔离区图形，利用KI/I?溶液腐蚀掉隔离区中的金膜暴露出氢终端表面，再将样品置于低功率氧等离子体中，使暴露出的氢终端表面转换为高阻氧终端表面，形成器件的隔离区；

5)在保留的金膜上旋涂光刻胶，然后光刻出栅窗口图形；

6)用湿法腐蚀的方法腐蚀掉栅窗口下方的金膜，将两侧剩余的Au作为器件的源极和漏极；

7)在栅窗口处依次淀积一层5～40nm厚的Mo0?介质和一层5～50nm厚的Al?O?作为器件的栅介质层；

8)利用金属蒸发在栅介质层上沉积一层80～180nm厚的铝膜，然后经过剥离工艺，获得双层栅介质和A1形成的复合栅电极结构；

9)在步骤8)完成后的结构表面利用热蒸发淀积一层30～100nm厚的MoO?,将源、漏和栅极完全覆盖，作为钝化层；

10)在步骤9)完成后的结构表面涂胶光刻，在源、栅、漏电极上方形成通孔图形，再刻蚀掉通孔图形下方的MoO?钝化层，获得暴露出源、漏、栅电极金属的电极通孔；

11)在步骤10)完成后的结构表面淀积金属Au,然后剥离得到加厚电极，