CN107840305A 一种芯片原子钟的mems原子腔的制作方法 （北京无线电计量测试研究所）.docxVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN107840305A

(43)申请公布日2018.03.27

(21)申请号201711111653.7

(22)申请日2017.11.13

(71)申请人北京无线电计量测试研究所

地址100854北京市海淀区北京142信箱

408分箱

(72)发明人张振伟陈星杨仁福

(74)专利代理机构北京正理专利代理有限公司

11257

代理人付生辉

(51)Int.CI.

B81C3/00(2006.01)

B81C1/00(2006.01)

G04F5/14(2006.01)

权利要求书2页说明书5页附图2页

(54)发明名称

一种芯片原子钟的MEMS原子腔的制作方法

(57)摘要

CN107840305A本发明公开了一种芯片原子钟的MEMS原子腔的制作方法，利用槽型盖板与硅片形成一个密封腔体，使叠氮化钡BaN?和氯化铷RbC1反应生成的铷蒸汽与反应残渣分离，得到纯净的铷原子MEMS腔，提高了MEMS原子腔的透光性；通过对阳极键合机内的压强进行精确控制，使阳极键合机内的压强略高于MEMS腔体内压强，保证了在第二层硅-玻璃阳极键合的过程中铷蒸汽不会泄漏，既保证了MEMS腔体内的充铷量又防止铷原子对键合界面的污染，提高了阳极键合的强度，同时提升了MEMS原子腔的性能。通过采用本发明的制作方法，可以去除MEMS原子腔内的杂质，透光性

CN107840305A

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CN107840305A权利要求书1/2页

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1.一种芯片原子钟的MEMS原子腔的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：

S1、对硅片进行打孔并清洗；

S2、将硅片和第一玻璃片放入阳极键合机进行第一层硅-玻璃键合，形成硅-玻璃片；

S3、将叠氮化钡和氯化铷的混合溶液滴入硅片最外圈的孔内，并将溶液烘干放入阳极键合机；在所述硅-玻璃片上盖上槽型盖板，并在槽型盖板与硅-玻璃片之间垫上垫片，加热并抽真空，使叠氮化钡分解，同时将分解生成的N?抽走；

S4、撤掉垫片，下降顶层压力头，施加压力使硅-玻璃片与槽型盖板紧密接触形成密封腔体；

S5、向阳极键合机腔体内充入氮气，使得硅-玻璃片与槽型盖板形成的密封腔体内压强小于密封腔体外压强；加热生成铷单质，并使铷蒸汽充满所述密封腔体；

S6、迅速降温使铷蒸汽凝华在硅片的孔内；

S7、将第二玻璃片放入阳极键合机进行第二层硅-玻璃键合，形成玻璃-硅-玻璃片；

S8、切割所述玻璃一硅-玻璃片得到MEMS原子腔。

2.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，在S1中对硅片进行打孔并清洗后，对硅片和第一玻璃片进行抛光。

3.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，S2中进行第一层硅-玻璃键合时，具体过程为：将第一玻璃片和硅片依次叠放在所述阳极键合机内的底层压力头上，所述硅片接阴极，所述第一玻璃片接阳极，下降顶层压力头；在所述硅片和第一玻璃片上加1000V电压，对所述顶层压力头和底层压力头同时加热到450℃,保持1小时后，即完成第一层硅-玻璃键合，形成硅-玻璃片。

4.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，S3中所述混合溶液中叠氮化钡和氯化铷的浓度比为1:2。

5.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，S3中所述烘干溶液具体为：将所述硅-玻璃片放置在阳极键合机内的底层压力头上，其中玻璃片与底层压力头接触；将阳极键合机内抽真空，真空度低于5×10??mBar,并加热底层压力头到100℃,烘烤至溶液中的水蒸发完全，以及玻璃吸收的空气被完全排除；加热过程中，真空泵始终处于工作状态，抽走水蒸气和空气。

6.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，S3中使叠氮化钡分解的温度为150℃。

7.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，S5中向阳极键合机腔体内充入氮气，使封闭腔体外的压强高于封闭腔体内压强。

8.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，S5中加热生成铷单质具体为：同时加热所述顶层压力和底层压力头达到300℃。

9.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，S6中迅速降温具体为：对所述底层压力头进行迅速降温，使铷蒸汽在硅片孔内的第一玻璃片上凝聚，待铷蒸汽完全凝聚后，降低顶层压力头和底层压力头的温度，升起顶层压力头，并取出槽型盖板。

10.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，S7中的第