CN104851782B 一种4H‑SiC UMOSFET栅槽的制作方法 （电子科技大学）.docxVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利

(45)授权

(10)授权公告号CN104851782B公告日2018.01.19

(21)申请号201510164939.6

(22)申请日2015.04.09

(65)同一申请的已公布的文献号申请公布号CN104851782A

(43)申请公布日2015.08.19

(73)专利权人电子科技大学

地址611731四川省成都市高新区(西区)

西源大道2006号

(72)发明人邓小川李妍月户金豹申华军萧寒唐亚超梁坤元甘志

(74)专利代理机构成都点睛专利代理事务所(普通合伙)51232

代理人葛启函

(51)Int.CI.

HO1L21/04(2006.01)

(56)对比文件

CN101459107A,2009.06.17,CN103560078A,2014.02.05,EP0517627A1,1992.12.09,CN101459107A,2009.06.17,CN103021840A,2013.04.03,CN103646876A,2014.03.19,

审查员孙健

权利要求书1页说明书4页附图4页

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