CN104752350A 一种制作半导体器件的方法 （中芯国际集成电路制造(上海)有限公司）.docxVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利申请

(43)申请公

(10)申请公布号CN104752350A布日2015.07.01

(21)申请号201310743194.X

(22)申请日2013.12.27

(71)申请人中芯国际集成电路制造(上海)有限公司

地址201203上海市浦东新区张江路18号

(72)发明人赵杰

(74)专利代理机构北京市磐华律师事务所

11336

代理人董巍高伟

(51)Int.CI.

HO1L21/8238(2006.01)

HO1L21/28(2006.01)

权利要求书2页说明书10页附图8页

(54)发明名称

一种制作半导体器件的方法

CN104752350A本发明公开了一种制作半导体器件的方法，根据本发明的方法提出了采用两步工艺以使金属栅极沟槽中的金属钨电极层和位于金属栅极沟槽侧壁的金属薄膜堆层凹陷，第一步去除位于金属栅极沟槽侧壁的覆盖层、阻挡层和P型功函数金属层；第二步回刻蚀金属钨电极层和去除位于金属栅极沟槽侧壁的N型功函数金属层。根据本发明的方法还提出了采用三步工艺以使金属栅极沟槽中的金属钨电极层和位于金属栅极沟槽侧壁的金属薄膜堆层凹陷，第一步去除位于金属