CN104851782A 一种4HSiC UMOSFET栅槽的制作方法 （电子科技大学）.docxVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN104851782A

(43)申请公布日2015.08.19

(21)申请号201510164939.6

(22)申请日2015.04.09

(71)申请人电子科技大学

地址611731四川省成都市高新区(西区)西

源大道2006号

(72)发明人邓小川李妍月户金豹申华军萧寒唐亚超梁坤元甘志

(74)专利代理机构成都点睛专利代理事务所(普通合伙)51232

代理人葛启函

(51)Int.CI.

HO1L21/04(2006.01)

权利要求书1页说明书4页附图3页

(54)发明名称

一种4H-SiCUMOSFET栅槽的制作方法

在第一介质层表面生长第二介烫层

除覆光刻胶，以充刻胶为掩膜刻蚀第二介质层，形成针槽区域窗门

去胶，以剩下的第二介质层为楂膜犯蚀第一介质层

洁除第一介质层形成4H-SiCIM05FET班槽

本发明属于半导体功率器件技术领域。为了克服现有方法制作的SiCUMOSFET器件栅槽侧壁陡直性低、底部具有子沟槽及表面粗糙度高的缺点，提供一种4H-SiCUMOSFET栅槽的制作方法。该方法包括：首先