CN102915975A 一种BJT以及BiCMOS的制作方法 （无锡华润上华半导体有限公司）.docxVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN102915975A

(43)申请公布日2013.02.06

(21)申请号201110224765.X

(22)申请日2011.08.05

(71)申请人无锡华润上华半导体有限公司

地址214028江苏省无锡市国家高新技术产

业开发区汉江路5号

(72)发明人青云胡金节李月影胡勇海

(74)专利代理机构北京集佳知识产权代理有限公司11227

代理人常亮李辰

(51)Int.CI.

HO1L21/8249(2006.01)

HO1L21/265(2006.01)

权利要求书2页说明书7页附图5页

(54)发明名称

一种BJT以及BiCMOS的制作方法

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CN102915975A本发明公开了一种BJT以及BiCMOS的制作方法，该BJT具有多晶硅发射极，在制作发射极时，采用两步刻蚀法，第一步干法刻蚀，以二氧化硅为停留层，不至于对单晶硅表面产生破坏；第二步湿法刻蚀，以Alpha型多晶硅为阻挡层，减少了湿法刻蚀中对二氧化硅层的横向腐蚀量，得到了比较好的窗口形态。从而使得发射区在做多晶硅离子注入及扩散时，可以得到比较好的表面浓度，改

CN102915975A

CN102915975A权利要求书1/2页

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1.一种双极结型晶体管的制作方法，该双极结型晶体管具有多晶硅发射极，其特征在于包括步骤：

(1)提供一半导体衬底，在该半导体衬底上进行离子注入形成埋层区，在该埋层区上制作外延层；

(2)采用浅沟槽隔离工艺在外延层上形成有源区和隔离区，对部分所述有源区分别进行第一离子注入和第二离子注入，注入第一离子的有源区形成下沉区，注入第二离子的有源区形成基区，其中下沉区连接到埋层区上并与之一起形成集电区；

(3)在外延层上先后形成氧化硅层和抗腐蚀层，并在抗腐蚀层上旋涂光刻胶层；

(4)利用掩模，在基区上方的光刻胶层上曝光刻蚀出发射区窗口，接着以光刻胶层为掩膜，以氧化硅层为停留层，对抗腐蚀层进行干法刻蚀，在抗腐蚀层上形成发射区窗口；

(5)采用湿法腐蚀工艺，以抗腐蚀层为阻挡层，将上述抗腐蚀层发射区窗口下的氧化硅层清洗掉，露出外延层表面以形成发射区窗口形状；

(6)在抗腐蚀层表面以及露出在发射区窗口中的外延层表面沉积一层多晶硅层，对发射区窗口中的多晶硅层进行离子注入以及退火工艺以形成发射区，再进行去层工艺，即将发射区以外的多晶硅层、抗腐蚀层以及氧化硅层刻蚀掉并最终形成发射极；

(7)对BJT的集电区和基区进行欧姆接触注入和引线工艺，完成整个BJT的制作。

2.如权利要求1所述的双极结型晶体管的制作方法，其特征在于：所述双极结型晶体管为NPN型晶体管，所述半导体衬底为P型衬底，在所述NPN型晶体管的制作步骤中，包括：

步骤(1),在所述P型衬底上注入N型离子以形成N型埋层，在N型埋层上制作N型外延层；

步骤(2),所述第一离子为N型离子，所述下沉区为N型下沉区，所述第二离子为P型离子，所述基区为P型基区，所述N型下沉区与N型埋层连接形成集电区。

3.如权利要求2所述的双极结型晶体管的制作方法，其特征在于：所述P型衬底为硅、锗、锗硅化合物或者有机化合物半导体材料中的一种。

4.如权利要求2所述的双极结型晶体管的制作方法，其特征在于：所述N型离子为锑离子，在步骤(1)中，锑离子注入剂量为1×101?/cm2,注入能量为40KeV。

5.如权利要求2所述的双极结型晶体管的制作方法，其特征在于：所述N型外延层的厚度为1至1.5μm,电阻率为2.0Ω·cm。

6.如权利要求1所述的双极结型晶体管的制作方法，其特征在于：所述隔离区的沟槽深度为0.4至0.8μm。

7.如权利要求1所述的双极结型晶体管的制作方法，其特征在于：所述双极结型晶体管为PNP型晶体管，所述半导体衬底为N型衬底，在所述PNP型晶体管的制作步骤中，包括：

步骤(1)中，在所述N型衬底上注入P型离子以形成P型埋层，在P型埋层上制作P型外延层；

步骤(2)中，所述第一离子为P型离子，所述下沉区为P型下沉区，所述第二离子为N型离子，所述基区为N型基区，所述P型下沉区与P型埋层连接形成集电区。

8.如权利要求1所述的双极结型晶体管的制作方法，其特征在于：所述氧化硅层的厚度为100至