CN102910576A 高灵敏的表面增强拉曼传感芯片制作方法 （重庆绿色智能技术研究院）.docxVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN102910576A

(43)申请公布日2013.02.06

(21)申请号201210462728.7

(22)申请日2012.11.16

(71)申请人重庆绿色智能技术研究院

地址401122重庆市北部新区金渝大道85

号汉国中心B座

(72)发明人夏良平尹韶云杜春雷史浩飞

(74)专利代理机构北京同恒源知识产权代理有限公司11275

代理人霍本俊

(51)Int.CI.

B81C1/00(2006.01)

权利要求书1页说明书3页附图2页

(54)发明名称

高灵敏的表面增强拉曼传感芯片制作方法

基片亲水处理自组装介质纳米球

基片亲水处理

自组装介质纳米球

纳米球阵列刻蚀

镀金属膜

传感芯片

CN102910576A本发明公开了一种高灵敏的表面增强拉曼传感芯片制作方法，包括如下步骤：1)对基片进行亲水处理；2)选择大小均一的介质纳米球乳胶溶液，利用旋涂法或提拉法在亲水处理后的基片上自组装单层紧密排列的介质纳米球阵列；3)利用反应离子刻蚀技术对步骤2)所得到的介质纳米球阵列进行刻蚀；4)在步骤3)所得到的刻蚀后的介质纳米球阵列上，镀上金属膜，镀膜厚度小于步骤3)中的刻蚀厚度，即获得高灵敏的表面增强拉曼传感芯片。本发明解决了现有表面增强拉曼传感芯片物理光刻与化学合成制备方法获得的芯片的重复性、均一性与灵敏度之间不可兼得的矛盾，

CN102910576A

CN102910576A权利要求书1/1页

2

1.一种高灵敏的表面增强拉曼传感芯片制作方法，其特征在于：包括如下步骤：

1)对基片进行亲水处理；

2)选择大小均一的介质纳米球乳胶溶液，利用旋涂法或提拉法在亲水处理后的基片上自组装单层紧密排列的介质纳米球阵列；

3)利用反应离子刻蚀技术对步骤2)所得到的介质纳米球阵列进行刻蚀；

4)在步骤3)所得到的刻蚀后的介质纳米球阵列上，镀上金属膜，镀膜厚度小于步骤3)中的刻蚀厚度，即获得高灵敏的表面增强拉曼传感芯片。

2.根据权利要求1所述的高灵敏的表面增强拉曼传感芯片制作方法，其特征在于：所述步骤1)中，基片为石英基片或K9玻璃基片。

3.根据权利要求1所述的高灵敏的表面增强拉曼传感芯片制作方法，其特征在于：所述步骤1)中，亲水处理的步骤为：将基片置于浓硫酸和双氧水以质量比3:1配成的溶液中，80℃热浴1小时，然后取出基片用去离子水反复冲洗，并用超声振荡2~3分钟；再将基片置于氨水、双氧水和去离子水以质量比1:1:5配成的溶液中，超声振荡1小时，然后取出基片用去离子水冲洗2~3次，并用去离子水保存备用。

4.根据权利要求1所述的高灵敏的表面增强拉曼传感芯片制作方法，其特征在于：所述步骤2)中，介质纳米球为聚苯乙烯球。

5.根据权利要求1所述的高灵敏的表面增强拉曼传感芯片制作方法，其特征在于：所述步骤3)中，反应离子刻蚀使用的刻蚀气体为氧气。

6.根据权利要求1所述的高灵敏的表面增强拉曼传感芯片制作方法，其特征在于：所述步骤4)中，金属膜为金膜或银膜，镀膜方式为蒸镀、溅射镀膜或电镀。

7.根据权利要求1至6任意一项所述的高灵敏的表面增强拉曼传感芯片制作方法，其特征在于：所述步骤3)中，刻蚀厚度为50nm~220nm;所述步骤4)中，镀膜厚度为40nm~200nm。

CN102910576A说明书1/3页

3

高灵敏的表面增强拉曼传感芯片制作方法

技术领域

[0001]本发明涉及一种光学传感芯片制备技术，具体涉及一种高灵敏的表面增强拉曼传感芯片制作方法。

背景技术

[0002]物质的拉曼光谱是一种指纹特征谱，因此特异性强，可无标记、实时地对物质进行探测。然而物质的拉曼散射信号非常弱，比入射光低几个数量级，因此灵敏度低。纳米金属结构的局域增强特性可使金属结构表面的电磁场增强几个数量级，相应地可大幅提升拉曼信号，这称之为表面增强拉曼散射。

[0003]人们已通过多种方法研究了表面增强拉曼散射增强结构的制备方法，目前主要分为两大类，分别为物理光刻和化学合成，物理光刻的特点是制备结构的均一性好，重复性高，但受衍射极限限制，物理光刻无法制备几十纳米甚至几