- 1
- 0
- 约9.25千字
- 约 14页
- 2026-03-14 发布于重庆
- 举报
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN103747624A
(43)申请公布日2014.04.23
(21)申请号201310756284.2
(22)申请日2013.12.30
(71)申请人天津市德中技术发展有限公司
地址300384天津市西青区华苑环外海泰发
展六道6号K1-5-102
(72)发明人苗淼胡宏宇
(74)专利代理机构天津盛理知识产权代理有限公司12209
代理人董一宁
(51)Int.CI.
HO5K3/00(2006.01)
权利要求书1页说明书5页附图1页
(54)发明名称
通过制作绝缘沟道实现选择性局部电镀的电路板制作方法
(57)摘要
CN103747624A本发明涉及一种通过制作绝缘沟道实现选择性局部电镀的电路板制作方法,该方法是在在孔化电镀前,把制作中的电路板与板材的其它区域进行电气绝缘,仅使板材上被选择的区域内的在制作中的电路板上在电镀时能被沉积金属,而板
CN103747624A
CN103747624A权利要求书1/1页
2
1.一种通过制作绝缘沟道实现选择性局部电镀的电路板制作方法,其特征在于:孔金属化之前把制作中的电路板与板材的其它区域进行电气绝缘,孔化电镀时仅在预先选择的在制电路板区域上沉积金属,其加工步骤如下:
(1)钻孔:在基板材料上选定的单件PCB所对应的基板材料区域上钻孔;
(2)制作绝缘沟道:将制作中的单件PCB与基板材料的其它区域进行绝缘;
(3)孔金属化、电镀:孔化、电镀并仅使制作中的单件PCB区域内形成金属沉淀;
(4)激光直接成型:用激光光蚀,剥除多余的金属箔,制出导电图形,获得具有导电图形的电路板。
2.根据权利要求1所述的通过制作绝缘沟道实现选择性局部电镀的电路板制作方法,其特征在于:步骤(1)所述的单件PCB是在制作中的电路板,包括单个电路板单元或两个及以上同时制作的电路板单元。
3.根据权利要求1所述的通过制作绝缘沟道实现选择性局部电镀的电路板制作方法,其特征在于:所述步骤(1)与步骤(2)次序可相互颠倒。
4.根据权利要求2所述的通过制作绝缘沟道实现选择性局部电镀的电路板制作方法,其特征在于:步骤(2)所述的绝缘为电气绝缘,所述电气绝缘是通过用激光光蚀方法或机械铣削方法实现的,去除金属层形成绝缘沟道。
5.根据权利要求4所述的通过制作绝缘沟道实现选择性局部电镀的电路板制作方法,其特征在于:步骤(2)所述的绝缘沟道的宽度在0.01mm-3.0mm之间,用激光光蚀剥除金属层法制作时,制作两个或多个相距0.1mm-2.98mm的平行的且内外嵌套的绝缘沟道图形。
6.根据权利要求4所述的通过制作绝缘沟道实现选择性局部电镀的电路板制作方法,其特征在于:步骤(2)所述的将制作中的单件PCB与基板材料的其它区域进行绝缘时,保留导电通道到达基板材料边缘。
7.根据权利要求4所述的通过制作绝缘沟道实现选择性局部电镀的电路板制作方法,其特征在于:步骤(2)所述的将制作中的单件PCB与基板材料的其它区域进行绝缘时,绝缘沟道的路径与该单件PCB轮廓外形线一致,绝缘沟道内边缘重合于单件PCB轮廓外形线或位于单件PCB轮廓外形线外侧,当绝缘沟道内边缘位于单件PCB轮廓外形线外侧时,绝缘沟道内边缘与单件PCB轮廓外形线之间垂直距离为1mm-50mm,当制作双面或多层电路板时,电路板正反两面的外层均需制作绝缘沟道,两面绝缘沟道图形透视重合。
8.根据权利要求2所述的通过制作绝缘沟道实现选择性局部电镀的电路板制作方法,其特征在于:步骤(3)所述的孔金属化采用直接电镀工艺中的炭膜法。
9.根据权利要求2所述的通过制作绝缘沟道实现选择性局部电镀的电路板制作方法,其特征在于:在进行步骤(3)所述的电镀时,挂具电触点仅与绝缘沟道包围区域内的电触点相连,仅使制作中的单件电路板区域作为阴极,表面上能沉积金属,电流密度设置仅计算绝缘沟道包括的区域面积。
10.根据权利要求1所述的通过制作绝缘沟道实现选择性局部电镀的电路板制作方法,其特征在于:步骤(4)所述的激光直接成型替换为机械铣削方法,剥除多余的金属箔,制出导电图形,获得电路板。
CN103747624A说明书
您可能关注的文档
- CN103766544A 一种蜂蜜柚子茶的制作方法 (天津科技大学).docx
- CN103765595B 包含垂直晶体管装置的半导体装置结构、垂直晶体管装置阵列及制作方法 (美光科技公司).docx
- CN103765595A 包含垂直晶体管装置的半导体装置结构、垂直晶体管装置阵列及制作方法 (美光科技公司).docx
- CN103765470B 树结构图制作辅助装置以及树结构图制作辅助方法 (加特可株式会社).docx
- CN103762235A 基于超结漏场板的AlGaNGaN高压器件及其制作方法 (西安电子科技大学).docx
- CN103762234A 基于超结漏场板的AlGaNGaN MISHEMT高压器件及其制作方法 (西安电子科技大学).docx
- CN103760638A 一种平面光波导器件制作方法 (四川飞阳科技有限公司).docx
- CN103750437A 一种天然植物运动饮料及其制作方法 (马鞍山市安康菌业有限公司).docx
- CN103749629B 一种红薯叶保健饼干及其制作方法 (昆明理工大学).docx
- CN103749629A 一种红薯叶保健饼干及其制作方法 (昆明理工大学).docx
- CN103745993A 基于超结的AlGaNGaN MISHEMT高压器件及其制作方法 (西安电子科技大学).docx
- CN103745992A 基于复合漏极的AlGaNGaN MISHEMT高压器件及其制作方法 (西安电子科技大学).docx
- CN103745991A 基于超结的AlGaNGaN高压器件及其制作方法 (西安电子科技大学).docx
- CN103745990A 耗尽型AlGaNGaN MISHEMT高压器件及其制作方法 (西安电子科技大学).docx
- CN103745898A 一种表面贴装式过压过流保护器件及其制作方法 (南京萨特科技发展有限公司).docx
- CN103744568A 一种触控面板及其制作方法 (深圳莱宝高科技股份有限公司).docx
- CN103741681A 一种高压旋喷桩的制作方法 (广西科技大学).docx
- CN103741680A 一种粉喷桩的制作方法 (广西科技大学).docx
- CN103741679A 一种沉管灌注桩的制作方法 (广西科技大学).docx
- CN103741677A 一种钻孔灌注桩的制作方法 (广西科技大学).docx
最近下载
- 2026年春新教材统编版八年级下册道德与法治第一单元 坚持宪法至上(1-2课)教案.docx VIP
- 回转窑焚烧炉运行规程.doc VIP
- 辽2015J601 楼梯国家图集.pdf VIP
- 信息技术支持下的高中化学项目式学习模式构建与实践教学研究课题报告.docx
- 《当代中国马克思主义》当代中国马克思主义》考试大纲.PDF VIP
- 2026年冶金工业规划研究院招聘备考题库及一套完整答案详解.docx VIP
- 以物抵工程款协议书.docx VIP
- 初中生成语误用情况调查及解决对策.docx VIP
- 2026年冶金工业规划研究院招聘备考题库及完整答案详解一套.docx VIP
- 回转窑焚烧炉运行规程..doc VIP
原创力文档

文档评论(0)