CN103745993A 基于超结的AlGaNGaN MISHEMT高压器件及其制作方法 （西安电子科技大学）.docxVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN103745993A

(43)申请公布日2014.04.23

(21)申请号201410030986.7

(22)申请日2014.01.22

(71)申请人西安电子科技大学

地址710071陕西省西安市太白南路2号

(72)发明人冯倩杜锴代波张春福梁日泉郝跃

(74)专利代理机构北京世誉鑫诚专利代理事务所(普通合伙)11368

代理人郭官厚

(51)Int.CI.

HO1L29/778(2006.01)

HO1L29/06(2006.01)

HO1L29/40(2006.01)

HO1L29/423(2006.01)

HO1L21/335(2006.01)

权利要求书2页说明书6页附图2页

(54)发明名称

基于超结的AlGaN/GaNMISHEMT高压器件及其制作方法

(57)摘要

CN103745993A本发明公开了一种基于超结的AlGaN/GaNMISHEMT高压器件及其制作方法，高压器件的结构从下至上依次包括衬底、GaN缓冲层、本征GaN(或AlGaN)沟道层、A1N隔离层和AlGaN势垒层，AlGaN势垒层上有源极、栅极、漏极、线性AlGaN层、栅源场板、P型GaN(或InGaN)层、基极，栅极与AlGaN势垒层之间还设置有绝缘介质层。本发明的有益之处在于：器件导通时第一区域、第二区域和第四区域的2DEG浓度增加，电阻减小，达到了降低器件导通电阻的目的；器件截止时第一区域的2DEG减小，第二区域和第三区域的2DEG与器件导通时相同，增加了器件耗尽区的宽度，达到了提高器件击穿电压的目的；栅源场板确保了电场峰值不会出现在栅靠近源的边界处，

CN103745993A

CN103745993A权利要求书1/2页

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1.基于超结的A1GaN/GaNMISHEMT高压器件，其特征在于，从下至上依次包括：衬底、GaN缓冲层、本征AlGaN或GaN沟道层、A1N隔离层和AlGaN势垒层，A1GaN势垒层上沿水平方向依次有：源极、栅极和漏极，在源极与栅极之间的A1GaN势垒层上方的全部区域、栅极与漏极之间的AlGaN势垒层上方的部分区域外延有线性AlGaN层，所述栅极还向源极方向延伸形成有与线性A1GaN层上表面接触的栅源场板，栅极与AlGaN势垒层之间还设置有绝缘介质层，栅极与漏极之间的线性AlGaN层与漏极之间留有缝隙并且线性AlGaN层上外延有P型GaN或InGaN外延层，P型GaN或InGaN外延层上有与栅极电连接的基极，栅极与漏极之间的线性AlGaN层、P型GaN或InGaN外延层的宽度依次减小；所述A1GaN势垒层由下层的i型A1GaN层和上层的n型A1GaN层组成；所述源极、栅极、漏极和基极的上表面还形成有加厚电极，加厚电极的两侧均形成有钝化层。

2.根据权利要求1所述的基于超结的AlGaN/GaNMISHEMT高压器件，其特征在于，所述衬底为蓝宝石、碳化硅、GaN或Mg0。

3.根据权利要求1所述的基于超结的AlGaN/GaNMISHEMT高压器件，其特征在于，所述A1GaN势垒层中，A1与Ga的组分比能够调节，A1、Ga、N的组分分别为x、1-x、1,1x0。

4.根据权利要求3所述的基于超结的AlGaN/GaNMISHEMT高压器件，其特征在于，所述线性AlGaN层中，A1的组分由x线性增加到y,且A1与Ga的组分比能够调节，A1、Ga、N的组分分别为y、1-y、1,1yx0。

5.根据权利要求3所述的基于超结的AlGaN/GaNMISHEMT高压器件，其特征在于，所述本征AlGaN沟道层中，Al的组分小于x,且A1与Ga的组分比能够调节，A1、Ga、N的组分分别为z、1-z、1,1xz0。

6.根据权利要求1所述的基于超结的A1GaN/GaNMISHEMT高压器件，其特征在于，所述绝缘介质层为SiN、Al?O?或HfO?。

7.根据权利要求1所述的基于超结的AlGaN/GaN