CN103745990A 耗尽型AlGaNGaN MISHEMT高压器件及其制作方法 （西安电子科技大学）.docxVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN103745990A

(43)申请公布日2014.04.23

(21)申请号201410029319.7

(22)申请日2014.01.22

(71)申请人西安电子科技大学

地址710071陕西省西安市太白南路2号

(72)发明人冯倩杜锴杜鸣张春福梁日泉郝跃

(74)专利代理机构北京世誉鑫诚专利代理事务所(普通合伙)11368

代理人郭官厚

(51)Int.CI.

HO1LHO1L

HO1L

29/778(2006.01)29/06(2006.01)21/335(2006.01)

权利要求书2页说明书5页附图2页

(54)发明名称

耗尽型A1GaN/GaNMISHEMT高压器件及其制作方法

(57)摘要

CN103745990A本发明公开了一种耗尽型AlGaN/GaNMISHEMT高压器件及其制作方法，器件的结构从下至上依次包括：衬底、GaN缓冲层、本征AlGaN(或GaN)沟道层、A1N隔离层和AlGaN势垒层，AlGaN势垒层上设置有：源极、栅极和漏极，栅极与AlGaN势垒层之间设置有绝缘介质层；在栅极与漏极之间的AlGaN势垒层上方依次外延有线性A1GaN层、P型GaN(或InGaN)外延层、基极。本发明的有益之处在于：器件导通时，栅漏间第一区域和第二区域的2DEG浓度增加，电阻减小；器件截止时，第一区域的2DEG减小，第二区域的2DEG与器件导通时相同，器件耗尽区的宽度增加，电场

CN103745990A

CN103745990A权利要求书1/2页

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1.耗尽型A1GaN/GaNMISHEMT高压器件，其特征在于，从下至上依次包括：衬底、GaN缓冲层、本征GaN或A1GaN沟道层、A1N隔离层和A1GaN势垒层，AlGaN势垒层上沿水平方向依次有：源极、栅极和漏极，所述栅极与AlGaN势垒层之间还设置有绝缘介质层，在栅极与漏极之间的A1GaN势垒层上方外延有线性AlGaN层且线性AlGaN层与漏极之间留有缝隙，线性AlGaN层上的部分区域外延有P型GaN或InGaN外延层，且P型GaN或InGaN外延层上有与栅极电连接的基极，P型GaN或InGaN外延层的宽度小于线性A1GaN层的宽度；所述A1GaN势垒层由下层的i型AlGaN层和上层的n型A1GaN层组成；所述源极、栅极、漏极和基极的上表面还形成有加厚电极，加厚电极的两侧均形成有钝化层。

2.根据权利要求1所述的耗尽型A1GaN/GaNMISHEMT高压器件，其特征在于，所述衬底为蓝宝石、碳化硅、GaN或Mg0。

3.根据权利要求1所述的耗尽型AlGaN/GaNMISHEMT高压器件，其特征在于，所述A1GaN势垒层中，A1与Ga的组分比能够调节，A1、Ga、N的组分分别为x、1-x、1,1x0。

4.根据权利要求3所述的耗尽型AlGaN/GaNMISHEMT高压器件，其特征在于，所述线性AlGaN层中，A1的组分由x线性增加到y,且A1与Ga的组分比能够调节，A1、Ga、N的组分分别为y、1-y、1,1yx0。

5.根据权利要求3所述的耗尽型AlGaN/GaNMISHEMT高压器件，其特征在于，所述本征AlGaN沟道层中，Al的组分小于x,且A1与Ga的组分比能够调节，A1、Ga、N的组分分别为z、1-z、1,1xz0。

6.根据权利要求1所述的耗尽型A1GaN/GaNMISHEMT高压器件，其特征在于，所述绝缘介质层为SiN、Al?0?或HfO?。

7.根据权利要求1所述的耗尽型AlGaN/GaNMISHEMT高压器件，其特征在于，所述钝化层为SiN、Al?0?或HfO?。

8.根据权利要求1所述的耗尽型A1GaN/GaNMISHEMT高压器件，其特征在于，所述栅极与漏极之间的线性AlGaN层与漏极之间的缝隙的宽度≥0.5μm。

9.根据权利要求1所述的耗尽型A1GaN/GaNMISHEMT高压器件，其特征在于，在所述P型InGaN外延层中，In组分恒定或者In组分逐渐增加。

10.制作权利要求1