CN103733308B 氮化物半导体结构以及其制作方法 （日本电信电话株式会社）.docxVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利

(45)授权

(10)授权公告号CN103733308B公告日2016.08.17

2011-1933482011.09.05JP

2011-1933502011.09.05JP

2012-0801172012.03.30JP

(85)PCT国际申请进入国家阶段日

2014.01.28

(86)PCT国际申请的申请数据

PCT/JP2012/0056332012.09.05

(87)PCT国际申请的公布数据

WO2013/035325JA2013.03.14

(73)专利权人日本电信电话株式会社地址日本东京都

(72)发明人小林康之熊仓一英赤坂哲也牧本俊树

(51)Int.CI.

HO1L21/20(2006.01)

HO1L21/02(2006.01)

HO1L21/205(2006.01)

HO1L33/32(2006.01)

(56)对比文件

US6086673A,2000.07.11,

CN1825539A,2006.08.30,

US2011/0127581A1,2011.06.02,US6316785B1,2001.11.13,

WO2011/022724A1,2011.02.24,CN1489248A,2004.04.14,

审查员霍淑利

权利要求书2页说明书23页附图26页

(74)专利代理机构北京品源专利代理有限公司11332代理人

(74)专利代理机构北京品源专利代理有限公司

11332

代理人刘宗杰吕琳

(21)申请号201280037824.5

(22)申请日2012.09.05

(30)优先权数据

氮化物半导体结构以及其制作方法

(57)摘要

CN103733308发明的氮化物半导体结构生长出h-BN薄膜或者t-BN薄膜(12)以及纤锌矿型A1xGa?xN(x0)薄膜(14)作为缓冲层，在其上形成单晶纤锌矿型A1GaInBN薄膜(13)。GaN、AlGaN、A1N等为具有sp3键的纤锌矿型结构，相对于此，h-BN、t-BN为具有sp2键的石墨型结构，而晶体结构完全不同。因此，以往没能考虑到能够在石墨型h-BN薄膜上生长纤锌矿型AlGaInBN薄膜。与此相对，当在石墨型氮化硼薄膜(12)上形成纤锌矿型A1xGa1×N(x0)薄膜(14)作为缓冲层时，可以在其上生长出GaN等纤锌矿型AlGaInBN

CN103733308B

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CN103733308B权利要求书1/2页

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1.一种氮化物半导体结构，其特征在于，具备：

由蓝宝石基板上的(0001)六方晶氮化硼薄膜、和上述六方晶氮化硼薄膜上的纤锌矿型AlxGa?-xN薄膜构成的缓冲层、以及

上述纤锌矿型AlxGa1-xN薄膜上的纤锌矿型A1GaInBN薄膜，

其中，x0。

2.根据权利要求1所述的氮化物半导体结构，其特征在于，

上述六方晶氮化硼薄膜具有一个原子层以上的膜厚。

3.根据权利要求1所述的氮化物半导体结构，其特征在于，还具备：

上述纤锌矿型AlGaInBN薄膜上的多重量子阱、以及

上述多重量子阱上的第二纤锌矿型AlGaInBN薄膜。

4.根据权利要求1所述的氮化物半导体结构，其特征在于，

还具备蓝宝石基板以外的基板上的接合层，

上述纤锌矿型AlxGa1-xN薄膜以及上述六方晶氮化硼薄膜构成缓冲层，其中，x0。

5.根据权利要求4所述的氮化物半导体结构，其特征在于，

上述接合层是导电性的。

6.一种氮化物半导体结构的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：

在蓝宝石的基板上生长缓冲层；以及

在上述缓冲层上生长纤锌矿型AlGaInBN薄膜制作氮化物半导体结构，

上述缓冲层由上述蓝宝石基板上的(0001)六方晶氮化硼薄膜及上述六方晶氮化硼薄膜上的纤锌矿型A1xGa?-xN薄膜构成，

其中，x0。

7.一种氮化物半导体结构的制作方法，其特征在于，

在具有纤锌矿型AlGaInBN薄膜的氮化物半导体结构的制作方法中包括如下步骤：

在蓝宝石基板上生长缓冲层；

在上述缓冲层上生长纤锌矿型AlGaInBN薄膜；以及

将上述缓冲层以及上述纤锌矿型AlGaInBN薄膜从上述蓝宝石基板分离，制作具有上述纤锌矿型AlGaInBN薄膜的上述氮化