CN103730339B 微纳尺度图纹压印模具的制作方法 （华中科技大学）.docxVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利

(45)授权

(10)授权公告号CN103730339B告日2016.06.29

(21)申请号201310740176.6

(22)申请日2013.12.27

(73)专利权人华中科技大学

地址430074湖北省武汉市洪山区珞喻路

1037号

(72)发明人李晓平夏金松汤自荣黄鹰卢宏史铁林刘小波谭先华

(74)专利代理机构华中科技大学专利中心

(56)对比文件

US2007/0128549A1,2007.06.07,CN101665234A,2010.03.10,

US2005/0159019A1,2005.07.21,CN101520600A,2009.09.02,

审查员罗慧晶

42201

代理人曹葆青

(51)Int.CI.

GO3FHO1L

7/00(2006.01)

21/027(2006.01)

公

公

权利要求书2页说明书5页附图2页

(54)发明名称

微纳尺度图纹压印模具的制作方法

(57)摘要

CN103730339B微纳尺度图纹压印模具的制作方法，属于压印模具的精细加工方法，解决激光干涉光刻制作模具条纹尺度不够精细，而电子束光刻制作高精细图形速度过慢、不适于大面积制作的问题。本发明的一种方法，顺序包括电子束光刻、一次干法刻蚀、激光干涉光刻、二次干法刻蚀、纳米压印、微电铸步骤；本发明的另一种方法，顺序包括激光干涉光刻、一次干法刻蚀、电子束光刻、二次干法刻蚀、纳米压印、微电铸步骤。本发明结合电子束光刻制作精细和激光干涉光刻成本低、制作模具幅面尺度大的优势，将纳米尺寸图纹和微纳尺寸图纹分别制备在压印模具不同位置，制作的图纹表现力远优于传统激光干涉光刻图纹，提高了全息防伪标识和其它通过压印形成图纹产品的防伪能力。

CN103730339B

激光干

激光干

泌光刻

纳米压印委：::

电子束光刻

二次

干法刻蚀

数电铸

法

CN103730339B权利要求书1/2页

2

1.一种微纳尺度图纹压印模具的制作方法，其特征在于，顺序包括下述步骤：

(1)电子束光刻步骤；

首先在硅衬底上旋涂厚度为30nm～800nm的电子胶，再利用电子束曝光在电子胶上制作光栅结构的纳米尺寸图形，显影、定影后在硅衬底上得到线宽为30nm～800nm的纳米尺寸图形；

(2)一次干法刻蚀步骤；

以剩余电子胶做掩膜，利用干法刻蚀硅衬底，在其上得到深度为30nm～800nm,线宽为30～800nm的纳米尺寸图纹；

(3)激光干涉光刻步骤；

清洗除去剩余电子胶，在硅衬底表面旋涂厚度为400nm-1500nm的光刻胶，然后在对应硅衬底上纳米尺寸图纹的邻近部位或周围部位的光刻胶上制作微纳尺寸图形，利用激光干涉，对所述微纳尺寸图形进行光刻，显影、定影后在硅衬底上得到线宽为400nm～1500nm的微纳尺寸图形；

(4)二次干法刻蚀步骤；

以剩余光刻胶做掩膜，利用干法刻蚀硅衬底，在其上得到深度为400nm～1500nm,线宽为400nm～1500nm的微纳尺寸图纹；

(5)纳米压印步骤；

清洗除去硅衬底上剩余光刻胶，得到具有纳米尺寸图纹和微纳尺寸图纹的硅凹模，以其作为模板，利用纳米压印将所述硅凹模的图纹复制到树脂片；

(6)微电铸步骤：

在所述树脂片上喷银，然后进行微电铸，将树脂片上的图纹复制在镍片上，得到厚度为0.04mm～0.15mm的镍凹模，所述镍凹模上具有深度为30nm～800nm、线宽为30nm～800nm的纳米尺寸图纹和深度为400nm～1500nm、线宽为400nm～1500nm的微纳尺寸图纹。

2.一种微纳尺度图纹压印模具的制作方法，其特征在于，顺序包括下述步骤：

(1)激光干涉光刻步骤；

在硅衬底表面旋涂厚度为400nm-1500nm的光刻胶，然后在光刻胶上制作微纳尺寸图形，利用激光干涉，对所述微纳尺寸图形进行光刻，显影、定影后在硅衬底上得到线宽为400nm～1500nm的微纳尺寸图形；

(2)一次干法刻蚀步骤；

以剩余光刻胶做掩膜，利用干法刻蚀硅衬底，在其上得到深度为400nm～1500nm,线宽为400nm～1500nm的微纳尺寸图纹；

(3)电子束光刻步骤；

清洗除去硅衬底上剩余光刻胶，在硅衬底上旋涂厚度为30nm～800nm的电子胶，在对应硅衬底上微纳尺寸图纹的邻近部位或空白部位的电子胶上制作纳米尺寸