CN103364467A 基于凡士林的微电极阵列及其制作方法 (首都师范大学).docxVIP

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  • 2026-03-15 发布于重庆
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CN103364467A 基于凡士林的微电极阵列及其制作方法 (首都师范大学).docx

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN103364467A

(43)申请公布日2013.10.23

(21)申请号201310308645.7

(22)申请日2013.07.22

(71)申请人首都师范大学

地址100048北京市海淀区西三环北路105

(72)发明人林雨青尹璐徐亚男高月磊

(74)专利代理机构北京纪凯知识产权代理有限公司11245

代理人关畅

(51)Int.CI.

GO1N27/30(2006.01)

权利要求书1页说明书4页附图1页

(54)发明名称

基于凡士林的微电极阵列及其制作方法

(57)摘要

CN103364467A本发明公开了一种基于凡士林的微电极阵列及其制作方法。该方法,包括如下步骤:将玻碳电极,金刚石电极或者其他碳基材料电极预处理后,将溶液a或b均匀涂覆在所述电极的表面,干燥得到所述微电极阵列;所述溶液a中,溶质为凡士林,溶剂为乙醚;所述混合液b中,溶质为凡士林和氧化铟锡,溶剂为乙醚。该方法简便,有效,在数

CN103364467A

CN103364467A权利要求书

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