CN104091760A 一种eeprom工艺中的抗辐照栅氧化层的制作方法 （上海集成电路研发中心有限公司）.docxVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN104091760A

(43)申请公布日2014.10.08

(21)申请号201410286809.5

(22)申请日2014.06.24

(71)申请人上海集成电路研发中心有限公司地址201210上海市浦东新区张江高斯路

497号

申请人成都微光集电科技有限公司

(72)发明人奚鹏程杨冰

(74)专利代理机构上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙)31275

代理人吴世华林彦之

(51)Int.CI.

HO1L21/28(2006.01)

权利要求书1页说明书6页附图5页

(54)发明名称

一种EEPROM工艺中的抗辐照栅氧化层的制作方法

提供一半导体硅衬底在所述衬底上：沉积存储管栅氧化层

提供一半导体硅衬底

在所述衬底上：沉积存储管栅氧化层

在存储耸的漏区上方开出隧您窗口，沉积隧穿氧化层

彩积多品硅层作为浮栅极，

并对多品硅层进行光刻、刻蚀、消洗

依次凯积第一氧化物层、氮化硅层、第二氧化物层，形成ONO介质层

进行ONO层光刻，保留存储管区及高压管区，露出低压管区

对OKO层进行刻蚀

沉积一层氧化物，作为低压管的栅氧化层