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《三维集成电路第10部分：互连结构电迁移测试方法》标准立项修订与发展报告

三维集成电路第10部分：互连结构电迁移测试方法标准发展报告

EnglishTitle:StandardDevelopmentReportforThree-DimensionalIntegratedCircuits—Part10:TestingMethodforElectricalMigrationinInterconnectionStructures

摘要

随着集成电路技术向三维集成方向快速发展，互连结构的可靠性问题日益凸显，尤其是电迁移效应已成为制约三维集成电路性能与寿命的关键因素。本报告围绕国家标准计划《三维集成电路第10部分：互连结构电迁移测试方法》（计划号：2025007665）的制定工作，系统阐述了该标准的立项背景、技术内容、适用范围及行业意义。报告首先分析了三维集成电路中硅通孔（TSV）、微凸点（micro-bump）和重布线层（RDL）等关键互连结构的电迁移失效机理，指出当前缺乏统一测试方法所导致的技术瓶颈。在此基础上，详细介绍了标准的主要技术内容，包括电迁移机理分析、测试样品与条件设定、试验设备与方法规范、试验步骤与失效判据等，并针对三种典型互连结构分别给出了具体的试验方案。该标准的制定将填补我国在三维集成电路互连结构电迁移测试领域的标准空白，为封装材