- 1
- 0
- 约1.86万字
- 约 29页
- 2026-05-06 发布于山西
- 举报
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN119495949A
(43)申请公布日2025.02.21
(21)申请号202311017191.8
(22)申请日2023.08.14
(71)申请人北京机械设备研究所
地址100854北京市海淀区永定路50号
(72)发明人李一凡许诺李平臧金良安灵椿张涵
(74)专利代理机构北京天达知识产权代理事务所有限公司11386
专利代理师常婕
(51)Int.Cl.
H01Q15/00(2006.01)
H01Q15/14(2006.01)
权利要求书2页说明书9页附图5页
(54)发明名称
一种液态金属可重构超表面反射单元及其
制造方法
(57)摘要
CN119495949A本发明涉及一种液态金属可重构超表面反射单元及其制造方法,属于人工电磁材料技术领域。解决现有超表面反射单元结构调控状态离散有限、连续调节能力不足、调节带宽窄、反射相移范围小的问题。包括:柔性基底、柔性薄膜、柔性上盖板、驱动控制结构和接地板;柔性上盖板、柔性薄膜、柔性基底、接地板和驱动控制结构按顺序层叠设置;柔性基底上设置微流道阵列结构和注液口,微流道阵列结构包括多个单元微流道结构,多个单元微流道结构通过通孔贯通,单元微流道结构为弯曲十字形结构,包括储液池和四个半圆弧型十字臂流道。本
您可能关注的文档
- CN119495638A 半导体结构及其形成方法 (台湾积体电路制造股份有限公司).docx
- CN119495643A 医疗模组封装结构及封装方法 (思瑞浦微电子科技(上海)有限责任公司).docx
- CN119495648A 用于将eic组装到pic以构建光学引擎的方法 (安华高科技股份有限公司).docx
- CN119495655A 一种用于电子器件散热的相变合金热沉结构及其使用方法 (有研工程技术研究院有限公司).docx
- CN119495679A 半导体结构及其形成方法 (浙江创芯集成电路有限公司).docx
- CN119495680A 测试结构及测试方法 (中芯国际集成电路制造(上海)有限公司).docx
- CN119495684A 用于在堆叠电子集成电路的光子集成电路中屏蔽电磁干扰的方法及结构 (安华高科技股份有限公司).docx
- CN119495695A 具有动力喷射模块的系统及其方法 (壹久公司).docx
- CN119495696A 极片制备装置和极片制备方法 (上海先导慧能技术有限公司).docx
- CN119495697A 用于二次电池的负极极片、制备方法以及二次电池 (蔚来电池科技(安徽)有限公司).docx
原创力文档

文档评论(0)