污染控制课件.pptVIP

污染控制5.1概述在這一章中，將解釋污染對器件工藝、器件性能和器件可靠性的影響，以及晶片生產區域存在的污染類型和主要的污染源。同時也簡要介紹潔淨室規劃、主要的污染控制方法和晶片表面的清洗工藝等。5.2污染類型微粒金屬離子化學物質細菌微粒器件對污染物的敏感度取決於特徵圖形的尺寸和晶體表面沉積層的厚度。由於特徵圖形尺寸越來越小，膜層厚度越來越薄，所允許存在的微粒尺寸也必須控制在更小的尺度上。經驗告訴我們，微粒的大小要小於器件上最小特徵圖形尺寸的1/10。（就是說直徑為0.03微米的微粒將會損壞0.3微米線寬大小的特徵圖形。）否則會造成器件功能的致命傷害。金屬離子無論是單晶製造還是工藝過程中人為摻雜，在引入有用雜質的同時也不可避免地引入一些其他有害的雜質，特別是金屬雜質。並且是以離子形式出現的而且是移動的。當這些移動的離子超過一定數量時，同樣會引起器件的失效。因此，這些可移動的離子必須控制在一定範圍內。除此之外，鈉也是最常見的可移動離子污染物，而且移動性最強，因此，對鈉的控制也成為晶片生產的首要目標。可移動污染物問題特別是對MOS器件影響更為明顯，因為MOS器件是表面電荷控制器件。化學品器件生產過程中化學品的應用是不可避免的，有些化學品將導