CN119673862A 半导体结构的制备方法 (北京超弦存储器研究院).docxVIP

  • 2
  • 0
  • 约4.41万字
  • 约 78页
  • 2026-06-09 发布于山西
  • 举报

CN119673862A 半导体结构的制备方法 (北京超弦存储器研究院).docx

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN119673862A

(43)申请公布日2025.03.21

(21)申请号202311210535.7

(22)申请日2023.09.19

(71)申请人北京超弦存储器研究院

地址100176北京市大兴区经济技术开发

区科创十街18号院11号楼四层401室

(72)发明人戴瑾王桂磊

(74)专利代理机构华进联合专利商标代理有限

公司44224

专利代理师史治法

(51)Int.Cl.

H01L21/768(2006.01)

H10D84/85(2025.01)

H01L23/522

您可能关注的文档

文档评论(0)

1亿VIP精品文档

相关文档