CN119688064A 热阻调控氧化镓日盲紫外微纳谐振传感器及制备检测方法 （南京邮电大学）.docxVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN119688064A

(43)申请公布日2025.03.25

(21)申请号202510220977.2

(22)申请日2025.02.27

(71)申请人南京邮电大学

地址210046江苏省南京市栖霞区文苑路9

号

申请人南京邮电大学南通研究院有限公司

(72)发明人庞玥郑旭骞郭宇锋

(74)专利代理机构北京众达德权知识产权代理

有限公司11570

专利代理师刘杰

(51)Int.Cl.

G01J1/42(2006.01)

权利要求书2页说明书8页附图7页

(54)发明名称

热阻调控氧化镓日盲紫外微纳谐振传感器

及制备检测方法

(57)摘要

CN119688064A本发明公开了一种热阻调控氧化镓日盲紫外微纳谐振传感器及制备检测方法，属于光传感器技术领域，通过在SiO2氧化层在横向上刻蚀有预定义沟槽，所述带状β_Ga2O3薄膜横向固定在SiO2氧化层上，带状β_Ga2O3薄膜位于预定义沟槽的上方，且所述带状β_Ga2O3薄膜位于预定义沟槽的正上方的纵向两侧与SiO2氧化层存在间隙，使得带状β_Ga2O3薄膜悬空在预定义沟槽上。

CN119688064A

CN119688064A权利要