CN119688427A 一种碳化硅晶片及高准确率的碳化硅晶片位错检测方法 （浙江晶越半导体有限公司）.docxVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN119688427A

(43)申请公布日2025.03.25

(21)申请号202510213068.6

(22)申请日2025.02.26

(71)申请人浙江晶越半导体有限公司

地址312400浙江省绍兴市嵊州市浦口街

道浦南大道368号9号厂房二楼202室

(72)发明人高冰丁幸

(74)专利代理机构浙江金杜智源知识产权代理

有限公司33511

专利代理师葛天祥

(51)Int.Cl.

G01N1/34(2006.01)

G01N1/32(2006.01)

C30B33/10(2006.01)

C30B29/36(2006.01)

权利要求书1页说明书11页附图5页

(54)发明名称

一种碳化硅晶片及高准确率的碳化硅晶片

位错检测方法

(57)摘要

CN119688427A本发明涉及半导体技术领域，公开了一种碳化硅晶片及高准确率的碳化硅晶片位错检测方法。氢氧化钾腐蚀碳化硅晶片后会在其表面附着肉眼不可见的残留物，该残留物无法通过水洗、醇洗去除，即使是可以与大多数有机物互溶的DMF、DMSO溶剂，也无法起到有效的去除上述残留物的效果，现有技术在使用氢氧化钾腐蚀结合图像识别法检测位错时，容易清洗不到位导致残留物仍旧残留在晶片表面，进而导致将存在误判位错点时