CN119786339A 半导体结构及其形成方法 （合肥晶合集成电路股份有限公司）.docxVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN119786339A

(43)申请公布日2025.04.08

(21)申请号202510294702.3

(22)申请日2025.03.13

(71)申请人合肥晶合集成电路股份有限公司

地址230012安徽省合肥市新站区合肥综

合保税区内西淝河路88号

(72)发明人阮钢马亚强罗钦贤苏圣哲

(74)专利代理机构上海思微知识产权代理事务所(普通合伙)31237

专利代理师赵素香

(51)Int.Cl.

H01L21/033(2006.01)

H10D84/03(2025.01)

H10D84/83(2025.01)

权利要求书1页说明书6页附图5页

(54)发明名称

半导体结构及其形成方法

(57)摘要

CN119786339A本发明提供半导体结构及其形成方法，先执行第一等离子体处理工艺，在NMOS器件的侧墙、PMOS器件的侧墙上以及浅沟槽隔离结构的表面上形成氢氧键；然后执行第二等离子体处理工艺，第二等离子体处理工艺中的气体与氢氧键反应生成特征反应基团，接着形成掩膜层，特征反应基团与掩膜层中的水生成游离的氢氧根离子，在曝光工艺中，光穿过掩膜层进入浅沟槽隔离结构内进行多次反射，在相邻NMOS器件和PMOS器件之间的沟道底部的掩膜层中产生的光酸超过