CN119816920A 基片处理方法和基片处理系统 （东京毅力科创株式会社）.docxVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN119816920A

(43)申请公布日2025.04.11

(21)申请号202380066539.4

(22)申请日2023.09.20

(30)优先权数据

2022-1536252022.09.27JP

(85)PCT国际申请进入国家阶段日2025.03.17

(86)PCT国际申请的申请数据

PCT/JP2023/0340112023.09.20

(87)PCT国际申请的公布数据

WO2024/070833JA2024.04.04

(71)申请人东京毅力科创株式会社地址日本

(72)发明人熊仓翔小野健太中根由太西冢哲也本田昌伸

(74)专利代理机构北京尚诚知识产权代理有限

公司11322

专利代理师龙淳牛孝灵

(51)Int.Cl.

H01L21/027(2006.01)

H01L21/3065(2006.01)

权利要求书2页说明书23页附图13页

(54)发明名称

基片处理方法和基片处理系统

(57)摘要

CN119816920A本发明提供调节抗蚀剂膜的曝光灵敏度的技术。提供一种基片处理方法。该方法是基片处理方法，包括：工序（a），提供具有基底膜的基片；工序（b），在基底膜上形成第一膜，其中，第一膜由包含EUV吸收截面积