GB_T 11446.7-2013 中文版 电子级水测试方法 痕量阴离子离子色谱测定.docxVIP

GB_T11446.7-2013中文版电子级水测试方法痕量阴离子离子色谱测定

前言

在半导体、显示面板、湿电子化学品制造流程当中，电子级水中的各类痕量阴离子杂质，即便处于微克每升的极低浓度区间，依旧会对晶圆表面造成腐蚀、漏电、界面缺陷，直接影响器件良率。氯离子、硫酸根、磷酸根等阴离子会在芯片纳米级线路表面发生富集，在后续工艺中诱发电化学腐蚀；亚硝酸根、溴离子会参与光刻体系副反应，干扰光刻工艺稳定性。电阻率仅能够反映水体总离子水平，无法区分不同阴离子组分，必须依靠离子色谱完成单种阴离子的定性定量分析。高纯电子级水阴离子含量极低，样品极易在取样、转移、进样环节被外界环境污染，过去国内各实验室操作流程不统一，数据重现性差，缺少标准化的仲裁检测手段。

GB/T11446.7-2013《电子级水中痕量阴离子的离子色谱测试方法》2013-12-31发布，2014-08-15正式实施，替代旧版GB/T11446.7-1997，属于GB/T11446电子级水整套标准体系第七部分，归口中国电子技术标准化研究院，与电阻率、二氧化硅、总有机碳、微粒、细菌总数等检测方法共同构成电子级水完整检验矩阵。该标准完整规定氟离子、氯离子、亚硝酸根离子、溴离子、硝酸根离子、磷酸根离子、硫酸根离子七种目标阴离子的离子色谱检测全流程，新增独立干扰因素章节，明确各离子方法检出限，同时引用GB/T11446