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基于GaAs的宽带低噪声放大器和功率放大器的研究与设计.pdf

基于GaAs的宽带低噪声放大器和功率放大器的研究与设计.pdf

    摘要

    近年来，射频芯片自主研发成为我国半导体产业发展的关键任务。射频芯片具有

    重要的国防安全和经济战略价值，在国家政策的大力支持下，射频前端核心器件国产

    化进程加速推进，推动了射频芯片在国防、通信、航空航天及民用电子等领域的广泛

    应用。低噪声放大器和功率放大器是射频前端系统中的核心部分，其性能对通信质量、

    信号传输距离及系统性能起决定性作用，因此，为满足现代无线通信系统对高性能指

    标放大器的需求，本文基于MMIC技术，采用国产的0.25μmGaAspHEMT工艺，分别

    设计了一款超宽带低噪

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