II—VI族化合物CdS原子间相互作用势的第一性原理研究 .docVIP

【标题】II—VI族化合物CdS原子间相互作用势的第一性原理研究 【作者】刘 攀 【关键词】相互作用势???第一性原理?? II—VI族化合物?密度泛函理论?? DMOL3程序 【指导老师】李 春 霞 【专业】物理学 【正文】1绪论1.1? II-VI族化合物的简介II-VI族化合物是指由元素周期表中IIB族元素(Zn, Cd, Hg)与VIA族元素?(O, S, Se, Te)所形成的二元、三元乃至四元化合物，通常为闪锌矿结构，具有禁带宽度变化范围大，直接跃迁能带结构，以及离子键成分大等特点?。此外，Bobkova和Sinevich于1984年发现，CdS和CdSe体晶体的闪锌矿结构是不稳定的，加热时趋向于纤锌矿结构?。70年代末80年代初，人们在光电导研究的基础上，对材料中元激发的光学性质进行了研究，稍后人们又开始了对II-VI族化合物激光发射的观测和研究。最初，电子束和红宝石的一次及二次谐振激光被用作泵浦光源。那时人们希望可以很快得到从红外光、可见光到紫外光，覆盖整个光谱区的II?-VI族激光二极管?，同时希望能够解释这些激光过程的物理机制。但是人们很快发现对宽带II-VI族半导体而言，双极性掺杂是一个严重的问题。于是在70年代末及80年代初，人们又由应用转向对基本机理的研究。80年代以来，随着半导体外延生长技术以及非平衡掺杂技术的迅速发展，使人们在1991年首次得到了基于ZnSe的电泵浦激光二极管。自从Haase等人?报道了世界上第一个蓝绿激光器之后，围绕得到能在室温下以连续波方式工作的、长寿命高效率的蓝绿激光器这一中心课题，世界上众多的科学家展开了一系列的探索，对II-IV族半导体材料的研究也进入了新的高潮。目前人们为解决II?-VI族半导体与金属材料的欧姆接触，II-IV族半导体的p型掺杂以及阐值工作电流的减小等问题在实验和理论上进行了大量的探索，取得了很大进展。由于II-VI族化合物具有较多的离子键成分，大多数化合物熔点较高，并且II-VI族化合物在熔点时的蒸汽压也较高，故生长单晶难度较大，且II-VI族化合物的导热系数很低，在晶体生长过程中温度也不易调整。目前用于II-VI族化合物晶体生长的主要方法有:溶胶凝胶法、水溶液法、移动加热器法和Bridgman法等。其中，Bridgman法和移动加热器法的应用最为普遍，可以成功生长直径在15mm以下的晶体。英国学者在Bridgman法的基础上，引入增锅加速旋转计算发展了ACRTB法，可用于控制晶体生长过程的传热物质条件，改善晶体径向成分均匀性。此外，俄罗斯科学家发明了高压气体控制下的Bridgman晶体生长方法，可生长出直径为30mm的晶体[5]。另外，用水溶液的方法已经制备出HgTe纳米晶体[6]，它的荧光峰覆盖了800-1400mn的光谱区，极大波长在1050nm，它具有非常高的量子产额，约为50%。溶胶凝胶技术在连续控制尺寸和较窄的尺寸分布方面仍存在很棘手的问题，1992年，Spanhel等人应用多步骤的无机有机特别处理方法，得到了相对较窄的尺寸分布的CdS晶体；Mathieu等人设法得到了各种粒度的CdS晶体系列，其尺寸范围在2.1-9.2nm之间?。II-VI族化合物的反射系数R、吸收系数a、与光的波长x(或光子能量hv)密切相关。由于光照而产生光电导是半导体材料可用于光探测的一个重要性能，对用于可见光辐射探测的II--IV族化合物，如CdS, CdSe及其一些固溶体的光电导性能进行了广泛的研究。VI族 Cd化合物在用于可见光辐射探测时，主杂质(如Cu)所产生的光电导有可能超过本征光电导。在S属Cd化合物中，可通过引入光敏中心而大大提高其光电导率。II?-VI族化合物的光致发光(PL)谱与光子能量hv的关系，与样品中的缺陷能级和杂质密切相关，掺入某些副族杂质(如Cu)可作为激活剂，III族和VII族的主杂质可作为共激活剂，以及掺入过渡元素杂质(如Mn)可以得到所需要的发光性能。带边发射中的尖锐发射线与激子复合有关，例如，CdS中的蓝色带边发射起源于束缚激子复合。大多数阴极发光研究是对粉末和薄膜样品进行的，用高能电子轰击可激发出电子一空穴对，所得到的光谱与hvEg时所得PL谱类似。对所有硫属Zn，Cd化合物单晶薄膜样品用电子束激发都获得了激光发射，光子能量接近Eg的光发射谱由很窄的谱线构成，它是由激子复合产生的[7-8]。在大多数II?-VI族化合物中，都存在自补偿现象，如CdS, ZnS, CdSe等，一般只能制得其n型材料，而ZnTe只能制得P型材料。这是因为掺入的杂质被同时引入的具有相反电荷的缺陷中心所补偿，使掺杂“失效”。通过非平衡过程(如离子注入)或在低温下掺杂可以解决一些材料的自补偿问题。这是由于前者可不受杂质溶解