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浅谈Silabs 的Flash 单片机丢失程序的原因及对策 世强电讯 肖建云 引言 在 8 位 MCU 市场，尽管 OTP MCU 以其低廉的价格成为市场的主流，但其存在致命的弱点 — — 只能一次编程，这使得研发工程师承担了太多的研发风险，一旦程序有缺陷，就无法补救，生产 出来的产品只能报废。另外，市场瞬息万变，要求产品也能跟上市场的变化步伐，不断地推陈出新， 迎合市场的需求。对产品进行软件升级，根据市场需求增加新的产品特性，从而延长产品的使用寿命， 就显得很重要了。很显然OTP MCU 无法胜任这类产品的要求。目前，随着价格日渐接近OTP MCU 产品，Flash MCU 以其上万次的擦写能力，和强大的在线升级功能，越来越受到众多研发工程师的青 睐，逐渐取代OTP MCU 成为8 位MCU 市场的主流。 在目前种类繁多的Flash MCU 中，有很多Flash MCU 具有可自编程性（Self -Programmability）， 和在单片机程序运行过程中，可以将Flash 当作EEPROM 使用，来实时存储程序运行产生的一些数 据。所谓Flash 的可自编程性，是指用 Flash 存储器中的驻留软件或程序对 Flash 存储器进行擦除/ 编程，但是，要求运行程序代码的存储区与待编程的存储区不在同一模块中。具有这种功能的Flash MCU 可以实现远程在线自动升级自己的Firmware；可以灵活的使用Flash 来存储数据。这是这种类 型Flash MCU 的一个优点，但是如果整个单片机系统设计不好的话，这也会带来 Flash 中的程序丢 失等一些问题。 Silicon Laboratories(美国芯科实验室，以下简称Silabs)的Flash MCU 就是具有可自编程性的改 良型高速C8051F 单片机。它完全兼容传统的8051 单片机，由于采用流水结构处理指令，７０％～ ８０％的指令只需１～２个系统周期，指令运行的峰值达到MIPS 级别，同时还有许多比传统８０５ １更强的功能。下面就以Silabs 的Flash MCU 为例，谈谈Flash 中程序丢失的原因及不同情况下该 采取的对策。其他公司类似的Flash 单片机也可以根据自己的特点进行参考。在谈这个问题之前，让 我们先了解一下Flash 存储器的基本存储单元电路及其工作原理。 一、Flash 存储器的基本存储单元电路及其工作原理 目前较为通用的Flash 存储器体系结构有三种：NOR 结构、ETOX 结构和NAND 结构。这里就 以ETOX 结构为例介绍。Flash 存储器的结构原理。 这种结构的基本存储单元由一个MOS 管构成，该管的模式结构如图１所示。 写入时，在控制栅上加足够高的正电压VPP (12 V)，在漏极上施加比 VPP 稍低的电压(7 v) ，源极 接地，则源区的电子在沟道电场的加速作用下向漏区运动，部分电子的动能将变得很大，成为热电子， 其中有一些在控制栅电压所感应的纵向电场作用下，越过氧化层势垒进入浮置栅。当浮置栅获得足够 多的自由电子后，就在源、漏极间造成一个导电沟道。 擦除时，在控制栅上加负的高电压，在源极上接正的低电压，而漏极浮空。由于控制栅和浮置栅的 电容效应，使浮置栅感应为正电势，因此在浮置栅与源区之间形成强电场，在其作用下浮置栅上的电 子穿过氧化层势垒进入源区。这样，源和漏极之间无法形成导电沟道。 由于Flash 存储器所有单元的源极是连接在一起的，因此，不能按字节擦除，只能进行全片擦除 或扇区擦除，这也是Flash 存储器的一个缺点。 我们了解了Flash 存储器的基本存储单元电路及其工作原理后，对下面的描述就比较容易理解。 二、Silabs 的Flash MCU 丢失程序的原因分析及对策 Flash MCU 的供电电压范围一般为1.8V ~ 5.5V，从前面的描述中，我们知道这个电压显然不满 足对Flash 进行编程的要求。为了实现Flash MCU 的可自编程性和把Flash 当作EEPROM 使用来 存储数据，就必需在Flash 内内置编程电压发生器。一般来说，这种Flash 存储器由以下几部分组成： 控制逻辑 — — 控制Flash 擦除和编程时的机器状态和时序发生器； Flash 保护逻辑 — — 避免意外的Flash 擦除和编程操作； 编程电压发生器 — — 提供Flash