太阳能电池材料ZnOAL薄膜制备工艺和组织成分研究.pdfVIP

太阳能电池材料 ZnOAL 薄膜制备工艺和组织成分研究 摘 要 氧化锌是宽带隙 （室温下3.3eV ）Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体，激子结合能为 60meV， 具有六方纤锌矿结构，其空间群为 P6 mc 。晶格常数 a=0.3249nm，c=0.5206nm 。 3 ZAO 薄膜具有良好的透明导电性、压电性、光电性、气敏性、压敏性、且易于与 多种半导体材料实现集成化。由于这些优异的性质，使其具有广泛的用途和许多潜 在用途，如表面声波器件、平面光波导，透明电极，紫外光探测器、压电器件、压 敏器件、紫外发光器件、气敏传感器等。 ZAO 薄膜的制备的主要方法有：磁控溅射、金属有机化学气相沉积、脉冲激 光沉积、分子束外延、电子束蒸发沉积、喷雾热分解、溶胶-凝胶法、薄膜氧化法 等。磁控溅射在最佳条件下可以得到均匀、致密、有良好的 c 轴取向性和可见光波 段透明性好等优点的薄膜，使得它成为在 ZAO 制备中研究最多并且最广泛使用的 方法。我们采用 DC 反应磁控溅射制备了 ZAO 薄膜。讨论了磁控溅射 ZAO 薄膜的 原理、影响 ZAO 薄膜质量的因素。用 SEM 表征 ZAO 薄膜的形貌和微结构，用紫 外可见分光光度计测量 ZAO 薄膜的透射谱，用四探针仪测量薄膜的电阻率。 关键词： ZAO 薄膜，直流磁控反应溅射，光学和电学性质 I 太阳能电池材料 ZnOAL 薄膜制备工艺和组织成分研究 Abstract ZAO is a II-VI compound semiconductor with a wide direct bandgap of 3.3eV at room temperature, exciton binding energy of 60meV, and a hexagonal wurtzite structure of space group P63mc.Its lattice parameters are a=0.3249nmand c=0.5206nm. Due to their excellent physical and chemical properties, ZAO films have many realized and potential applications such as surface acoustic wave devices, planar optical waveguides, transparent electrodes, ultraviolet photodetectors, piezoelectric devices, varistors, gas sensors, UV/violet/blue-LEDs (light emitting diodes)and-LDs(laser diodes), etc. And they can be integrated with some materials readily. To achieve the requirements of different applications, many techniques, such as molecular beam epitaxy, magnetron sputtering, metalorganic chemical vapor deposition, and pulsed laser deposition, spray pyrolysis, sol-gel process, reactive deposition and thermal oxidation of Zn films have been used to deposit ZAO films. Uniform and compact ZAO film