溴化铊半导体材料特性及其室温核辐射探测器研究进展.docVIP

  溴化铊半导体材料特性及其室温核辐射探 测器研究进展# 周东祥，郑志平，龚树萍** 5 10 15 20 25 30 35 （华中科技大学电子科学与技术系，武汉 430074） 摘要：溴化铊材料具有原子序数高、禁带宽度大、密度大、结构简单、熔点低、易于熔融生 长等特点，是室温 X、γ射线探测器研究开发的重点材料之一。本文首先系统介绍了溴化铊 的晶体结构等基本材料特性, 及其对高能射线的探测原理；接着，回顾了其作为探测器材料 的发展历程，介绍了溴化铊探测器的研究进展情况。随着溴化铊探测器的研究不断深入及向 室温便携式方向发展，有望推动传统核辐射探测器的更新换代并不断扩展其应用领域。 关键词：溴化铊；材料特性；核辐射探测器 中图分类号：TL814 Properties of thallium bromide materials and recent progress in thallium bromide nuclear radiation detectors ZHOU Dongxiang, ZHENG Zhiping, GONG Shuping (Department of Electronic Science and Technology, Huazhong University of Science and Technology, Wuhan 430074) Abstract: As one of the key materials use as X- and gamma-ray detectors, Thallium bromide crystal present promising characteristics for use as room-temperature semiconductor detectors. It has a high atomic number, wide band gap, high density, simple cubic crystal structure, relatively low melting point and easy growth from melt. In this paper, the material properties of thallium bromide and the mechanism of detecting was systematically described. The discovery, development and recent results in thallium bromide detector crystals performance were reviewed. With the development of the thallium bromide detector research, and its promising use at room temperature, thallium bromide detector crystal has a great chance of replacing the older generation of detectors by new ones. Key words: tthallium bromide; material properties; X- and gamma-ray detectors 0 引言 核辐射探测器是将 X、γ 射线的能量及强度信息转换为电信号的一种器件，它不仅在高 能物理及基本粒子物理的发展中起着十分重要的作用，而且在环保、安检、核医学、工业探 伤等领域得到了广泛应用[1, 2]。传统的元素半导体（如 Si、Ge）核辐射探测器，具有较好的 能量分辨率，已广泛应用于 X、γ 射线探测领域，但它们必须在低温条件下使用，这给实际 应用增加了诸多困难和成本[3]。因此，开发能在室温下工作的半导体探测材料成了近年来的 热门研究课题，宽禁带化合物半导体探测器具有较高的探测效率、较高的能量分辨率，是很 有发展前景的一类探测器，比较有代表性的有碲化镉（CdTe）、碲锌镉 Cd1-xZnxTe（CZT）、 砷化镓（GaAs）、碘化汞（HgI2）和溴化铊（TlBr）探测器[4]。 基金项目：教育部博士点新教师基金（200804871014） 作者简介：周东祥（1943-），男，教授，信息功能材料及器件，特种晶体生长 通信联系人：郑志平（1969-），女，副教授，功能材料与器件. E-mail: zzp@mail.hust.edu.cn -1- 1 溴化铊（TlBr）材料特性  40 45 50 溴化铊摩尔质量为 284.29 g，熔点为 460 oC，