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大规模集成电路基础 北京大学 小结：Bipolar： 基区(Base)，基区宽度Wb 发射区(Emitter) 收集区(Collector) NPN，PNP 共发射极特性曲线 放大倍数?、? 特征频率fT 作 业 画出CMOS反相器的截面图和俯视图 画出双极晶体管的截面图和俯视图 3. 1半导体集成电路概述 集成电路（Integrated Circuit，IC） 芯片（Chip, Die） 硅片（Wafer） 集成电路的成品率： Y= 硅片上好的芯片数 硅片上总的芯片数 100% 成品率的检测，决定工艺的稳定性，成品率对集成电路厂家很重要 集成电路发展的原动力：不断提高的性能/价格比 集成电路发展的特点：性能提高、价格降低 集成电路的性能指标： 集成度 速度、功耗 特征尺寸 可靠性 主要途径：缩小器件的特征尺寸 增大硅片面积 功耗 延迟积 集成电路的关键技术：光刻技术(DUV) 缩小尺寸：0.25~0.18mm 增大硅片：8英寸~12英寸 亚0.1mm：一系列的挑战， 亚50nm：关键问题尚未解决 新的光刻技术： EUV SCAPEL(Bell Lab.的E-Beam) X-ray 集成电路的制造过程： 设计 工艺