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北京瑞恩泰克电子技术有限公司 EMI 滤波器 EMI 滤波器的应用及选择指南 一、EMI 滤波器的电路结构形式（右图所示）： 1、C 型滤波器 C 型滤波器由三端电容和穿心电容构成，适合 于抑制高频。C 型滤波器两端均可视为低阻抗， 接高阻抗源和负载。 2、L 型滤波器 由一个电感器和一个电容器组成。这种滤波器 可以提供高的输入阻抗，也可提供低的输入阻抗， 取决于电路的安装方向。LT 电路适用于高阻抗负载， 低阻抗源的情况。LB 电路适用于低阻抗负载，高阻 抗源的情况。 3 、π型滤波器 π型滤波器由一个电感器两个电容器构成。它 的输入端和输出端都呈低阻抗性，因为元件比L 型 或 C 型多，故抑制性能要好的多。但在开关电路中 有时会出现“振铃”现象。 4、带瞬变抑制器的π型滤波器 这种π型滤波器在其输入端增加了一个瞬变抑制 器，它具有较好的高频抑制性能，同时可以防止电压 尖峰。 5、T 型滤波器 这种滤波器包括两个电感器和一个电容器，它的 两端都是高阻抗，其插入损耗性能和π型滤波器相似 。但它不易出现“振铃”现象，可用在开关电路中。 6、双 T 型滤波器（多级滤波器） 多级滤波器是为源和负载都为低阻抗的电路设计 的高性能滤波器，它们也可用在要求高插入损耗的其 他情况。在滤波器的输入端用一个电感器，有利于 与美军标 MIL-STD-461D （国军标GJB-151A ）的 测试装置匹配。 地址：北京市海淀区阜成路 14 号 3号楼 218 室（100037） TEL：+86-1068371012 68371561 FAX ：+86-10- 网址： E-mail ：reintech@163.com 北京瑞恩泰克电子技术有限公司 EMI 滤波器 二、各种滤波电路的衰减特性： 不同的滤波电路有着不同的滤波特性（见右图）。 一般而言，C 型电路的滤波衰减曲线较平坦，没有 明显的拐点，适用于大多数电子设备；L 型电路 Pi 型电路和 T 型电路的滤波衰减曲线较 C 型电路 拐点明显，适用于抑制的干扰信号与有用信号频 率接近的的场合。但当工作频率为方波时，要注意 这些电路的感性和容性器件的量值要选用恰当，避 免一味追求滤波衰减性能，而把有用信号的波形部 分衰减，导致设备工作反而不正常。 各种滤波电路滤波特性图 一、 EMI 感性和容性器件的选择： 滤波电容 EMI 滤波器所用电容一般为穿芯式陶瓷电容，穿芯式的结构可有效防止高频信号在输入输出端之间直 接耦合，且寄生电感小自谐振频率较高，这种同轴性的、低通高阻的设计组合，在 1GHz 的频率范围内， 可以提供高效的 EMI 抑制。这种电容的容值可以在几 pF 到几μF 之间，工作电压高可达几千 VDC 。由于 穿芯式电容的介质是陶瓷介质，陶瓷介质的容量会随着温度的变化而发生漂移，这种变化会影响容性器件 的滤波截止频率。故在设计选择时不但要考虑工作温度，而且要重视工作电压，以防陶瓷介质被击穿。 常见陶瓷电容的技术指标： COG （NPO ） X7R Z5U Y5V EIA 介质类别 超稳定 稳定 一般用途 工作温度范围 -55℃～+125 ℃ -55℃～+125 ℃ -10℃～+85 ℃ -10℃～+85 ℃ 随温度变化而变化率 0 ±30ppm/℃ ±15% +22%～-56% +22%～-82% 4 绝缘电阻 Ri ≥10 M Ω Cr≤25nF Ri ≥4000 M Ω；Cr ≥25nF RixCr ≥100s