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ITO 电化学腐蚀规律研究 材料科学系 蒋程捷 顾雄 指导老师：蒋益明 摘要：建立电化学极化曲线扫描方法，表征ITO （氧化铟锡）透明导电薄膜电化学腐蚀 现象，发现ITO 薄膜阴极极化下发生严重电化学腐蚀。利用SEM 和XRD 分析了ITO 腐蚀 产物，并通过极化曲线和四探针法测方块电阻得到ITO 的腐蚀随电压、pH 值、氯离子浓度 的变化规律。结果表明，ITO 经腐蚀后三价的铟转化为单质的铟，且ITO 腐蚀的强度随电压、 酸度（或碱度）、氯离子的浓度的增大而增强。该研究对理解氧化物腐蚀特殊规律，促进低 腐蚀率优良ITO 薄膜制备技术发展就有重要意义。 关键词：ITO 薄膜 极化曲线 电化学腐蚀 引言 In O :Sn （ITO ）透明导电氧化物薄膜具有电阻率低、高可见光率、高红外 2 3 光反射率、易刻蚀和易低温制备等优点，是平板显示器件三大关键材料之一，广 泛应用于光电信息显示产业，对平板显示器件的质量和成本起着至关重要的作用。 一般而言，ITO 是空气稳定性的材料，但是近年来随着制备工艺日趋多样化 及使用条件日趋复杂化，由于 ITO 腐蚀而导致器件失效的问题日渐突出，众多 的平板显示生产线上已经不同程度出现了 ITO 腐蚀问题。例如在加工制备过程 中，主流ITO 象素电极的制造工艺均采用湿法刻蚀，刻蚀液是由HCl、HNO3 和 [1] H O 组成的混酸，这种刻蚀的本质就是电化学腐蚀 ，因版图设计的电极走线不 2 [2-4] 当而产生缝隙腐蚀等；在使用过程中，由于受到空气中水氧 、杂质（如氯离 [5] 子）等因素影响，电极之间存在的电压差引的起电化学腐蚀导致器件性能下降 ； 在返修过程中，数据线金属成膜可能会引入一些灰尘杂质和盐酸、硝酸混合刻蚀 液，灰尘杂质、金属膜和刻蚀液就构成了微观原电池，产生电化学腐蚀。 由此可见，ITO 薄膜电化学腐蚀是个极其重要的问题，它在平板信息显示产 业的各个环节都不可避免地存在着。深入系统地研究 ITO 电化学腐蚀规律和机 理，可以为平板显示器件腐蚀失效分析、寿命评估、防腐抗蚀以及功能薄膜的制 备提供重要理论依据和应用指导，对低缺陷TFT-LCD 平面显示器件的实现、提 高平面显示阵列基板的良品率、器件的可靠性与失效分析以及寿命评估都具有显 著的科学意义和实际意义。 目前ITO 透明导电薄膜的研究主要在新型透明导电氧化物薄膜的开发，新 工艺的探索，薄膜光电性能的表征，器件制备等方面。对腐蚀方面的研究还未引 [7] 起足够重视，国际上与ITO 有关腐蚀的报道寥寥无几。如Scott 等人 采用FTIR 光谱研究了ITO/MEH-PPV 界面，发现氧会透过ITO 进入高分子材料，使得组件 [8-11] [14,15] 操作前与操作后ITO 与高分子间会产生许多反应 ；Folcher 等 研究了ITO 在HCl 溶液中的电化学腐蚀行为，采用 QCM 获取ITO 的腐蚀动力学规律结合 [16] SEM 观察腐蚀形貌；姜妍彦等 研究了不同铅离子注入程度的ITO 在酸碱溶液 中的电化学稳定性，采用方块电阻间接获取了 ITO 在酸碱溶液中的腐蚀动力学 规律。以上研究涉及腐蚀动力学规律、腐蚀产物的定性讨论，并且都不同程度地 观察到了ITO 腐蚀产物。但是由于ITO 是一种特殊的、非化学计量的功能氧化 物薄膜，它的独特结构必然导致一系列电化学方面的新现象和规律，目前对ITO 透明导电氧化物薄膜腐蚀研究还是非常不