SU2胶紫外光刻的尺寸精度研究.pdfVIP

第 15 卷 　第 4 期 　 光学 精密工程 Vol . 15 　No . 4 2007 年 4 月 　 　 　　　　　　　　　Op tics and Preci sion Engineering 　　　　　　　　　　 Ap r . 2007 ( ) 文章编号 　1004924X 2007 SU8 胶紫外光刻的尺寸精度研究 1 ,2 1 ,2 1 ,2 2 1 杜立群 ,秦 　江 ,刘 　冲 ,朱神渺 ,李园园 ( 1. 大连理工大学 精密与特种加工教育部重点实验室 ,辽宁 大连 116023 ; 2 . 大连理工大学 辽宁省微纳米技术及系统重点实验室 ,辽宁 大连 116023) 摘要 :研究了衍射效应对 SU8 胶紫外光刻尺寸精度的影响 。根据菲涅耳衍射理论建立了紫外曝光改进模型 ,预测微结 构的尺寸 ,分析了光刻参数变化对尺寸的影响 。为了更好地与数值模拟结果进行比较 , 以硅为基底 ,进行了 SU8 胶紫外 μ μ μ μ 光刻的实验研究 。实验分四组 ,实验中掩模的特征宽度分别取 50 m 、100 m 、200 m 和 400 m ,SU8 胶表面的曝光剂 量取 400 mJ / cm2 。用扫描电镜测量了微结构的顶部线宽、底部线宽和 SU8 胶的厚度 ,用 MA TL AB 软件对紫外曝光过 程中 SU8 胶层内曝光剂量的分布情况进行了数值模拟 ,数值模拟结果与实验结果基本吻合 。数值模拟结果为进一步的 实验研究提供了光刻参数的参考值 。 关 　键 　词 :SU8 胶 ; 菲涅耳衍射 ; 紫外光刻 ; 尺寸精度 ;MA TL AB 中图分类号 : TN 305 . 7 　　文献标识码 :A Study on dimensional precision of UVl ithography on SU8 photoresist DU Liqun1 ,2 ,Q IN J ian g1 ,2 , L IU Chong1 ,2 ,ZHU Shenmiao2 , L I Yuanyuan1 ( 1. Key L aboratory f or P recis ion N onT ra d i t ion al M achi ni ng Tech nol og y of t he M i nis t ry of E d ucat ion , D al i an Uni v ers i ty of Tech nol og y , D al i an 116023 , Chi n a; 2 . Key L aboratory f or M ic ro/ N ano ) Technology and S y s tem of L iaoning P rov ince , D alian Univers ity of Technology , D alian 116023 , China Abstract : The imp act of diff raction eff ect on t he dimen sio nal p reci sion of U