全氧化锌纳米线结构的TFT和场发射器件研究.docVIP

  全氧化锌纳米线结构的 TFT 和场发射器件 研究# 陶治，雷威，李驰，刘向** 5 10 （东南大学电子科学与工程学院,南京 210000） 摘要：本文论述了采用水热法生长的氧化锌纳米线作为有源层置于二氧化硅/N 型掺杂硅衬 底上的薄膜晶体管，在驱动三级栅网结构的场发射器件(FED)上的研究，场发射器件利用氧 化锌纳米线作为发射端。经实验发现，以氧化锌纳米线作为有源层的薄膜晶体管（TFT）能 在较低的栅电压（2.0~3.5V）下工作；并且，该晶体管对具有栅电压较高的（约为 75V）的 场发射器件进行调制；工作电流约为 86uA。尽管通过薄膜晶体管驱动的有源场发射器件 （AM-FED）仍然需要进一步的研究，但是这项工作启发了新的对真空微电子器件的认知。 关键词：薄膜晶体管；有源场发射器件；氧化锌纳米线 中图分类号：TN321.5 15 All ZNO nanowires based thin-film transistor and active field-emission devices TAO Zhi, LEI Wei, LI Chi, LIU Xiang (School of Electronic science Engineering, Southeast University, Nanjing 210000) 20 25 30 35 Abstract: It is reported that A transistor utilizing the ZNO nanowires (NWs) as the active layer is applied for driving active triode structure gated Field emission device (FED) and the emitter is made with ZNO nanowires. With a quite low TFT (thin film transistor) gate voltage (2.0~3.5v) control, the transistor can modulate the relatively high FED gate voltage (~75v) and provide the working emission current (~86uA). Though the application of AM-FED driving by TFT still needs some endeavors, this work will broaden a new researching thought to realize this active vacuum micro-electronic device。 Key words: thin-film transistor; active-matrix field emission device; ZNO nanowires 0 引言 薄膜晶体管（Thin Film Transistor, TFT）从产生到现如今的大范围运用已经有了几十年 的时间。最初的晶体管仅仅是由于其开关特性被运用于电子线路中，随着液晶平板电视的大 规模发展，TFT 器件被发现能够提供足够大的开关电流比来控制液晶显示的像素灰阶而得到 了巨大的发展。目前，随着新一代显示技术有机发光二极管（OLED）的大规模工业化，TFT 由于其在有源驱动液晶方面的突出性能，成为 AM-OLED 平板显示器件的核心部件。当前， 以非晶硅薄膜晶体管（α -Si TFT）,多晶硅薄膜晶体管（p-Si TFT）为代表的 TFT 技术较为 成熟。但是非晶硅薄膜晶体管迁移率低，光敏性强，多晶硅薄膜晶体管制备复杂，成本高， 都限制了薄膜晶体管的进一步运用[1,2]。 最近几年的研究发现，金属氧化物作为有源层的薄膜晶体管在迁移率，阈值电压，开关 比以及光透过率等方面都表现出了优异的性能，尤其是 ZNO 薄膜作为有源层，通过磁控溅 基金项目：博士点基金（20100092110015） 作者简介：陶治(1988-),男,汉族,东南大学博士研究生,主要研究方向用于驱动 QLED 的薄膜晶体管方向的研 究 通信联系人：雷威(1967-),男,汉族,东南大学电子科学与工程学院教授,博士生导师,主要研究方向为显示器件 的研究和设计. lw@seu.edu.cn -1-   40 45 50 55  射控制参数的研究引起了巨大的关注。在将 TFT 应用到场发射器件中时（field emission devices, FED），我们发现继续使用二级场发射结构不利于 TFT 控制，于是我们添加了栅阴 极结构，相比于二