二维光子晶体绝对带隙影响因素的分析.pdfVIP

第 29卷 第 12期 光 学 学 报 V01．29，No．12 2009年 12月 ACTA OPTICA SINICA December，2009 文章编号 ：0253—2239(2009)12—3523—04 二维光子晶体绝对带隙影响因素的分析 熊刚强 王加贤 张峻诚 苏培林 (华侨大学信息科学与212程学院，福建 泉州 362021) 摘要 对二维三角形空气孔结构 的光子 晶体 TE模 、TM模 的禁带重叠区，即绝对带隙的影响因素进行 了系统的分 析计算，得到其禁带随介 电常数的差别还有填充比的变化规律 ：绝对带隙在 rid(空气孔半径 ／晶格周期)o．4时 出现 ，带隙宽度随rid的增加而增加 ，到 rid一0．483时达到最大，往后开始减小 。其 中带隙中心频率值随rid的 增加而增加 ；把填充比rid固定在 0．483，计算绝对带隙宽度随背景材料 的介 电常数 e的变化规律发现 ：绝对带隙 在背景材料的介电常数 e8的时候出现 ，宽度随e的增加而增加 。 关键词 光子晶体；电磁波；介 电常数差；绝对带隙 中图分类号 TN252 文献标识码 A doi：10．3788／AO3523 TheAnalysisoftheInfluenceFactorsofPhotonicAbsoluteBandGap XiongGangqiang WangJiaxian ZhangJuncheng SuPeilin (CollegeofInformationScienceandEngineering，HuaqiaoUniversity，Quanzhou，Fujian362021，China) Abstract Through systematicanalysisand calculation ofthe influence factorsoftheabsolute band gap for2D trianglelatticephotoniccrystalwithairpore，wefound therelationbetween completebandgapandthetwomain influencefactors。fil1ratio。backgrounddielectricconstant．Theresultsofcalculationshow thatthecompleteband gapshowsupwhenthefillratiofo．4，increasingfillratioleadstoanincreaseofbandgapwidth，thelargestband gapcanbe obatinedwhere ’=0．483．Further，thelargerfillratiois，thehigherthecentralfrequencyofthegapis． When_，’0．483，thecompletebandgapshowsupwhenthebackgrounddielectricconstant￡8．Thewidthofband gapincreaseswith theincreaseofe． Keywords photoniccrystal；electromagneticwaves；D—valueofdielectricconstant；completebandgap 1 引 言 在光子 晶体的设计过程 中，人们一般希望得到 光子晶体口]是在光学尺度上具有周期性介 电 大 的TE模与 TM模带隙重叠的绝对光子带隙，影 常数的人工设计和制造的功能材料 。与半导体晶格 响光子晶体带隙的因素主要有 3个 ：1)两种材料 的 对 电子波函数的调制相似 ，周期性的介电材料能够 介 电常数的差别 ；2)介质填充比；3)晶格结