Ce0.8Nd0.2-xPrxO1.9固溶体的Raman光谱与阻抗谱.pdfVIP

第 37卷第 9期 硅 酸 盐 学 报 Vo1．37， No．9 2009年 9月 J0URNALOFTHECHINESECERAM ICSoCIETY September，2009 Ceo8Nd02_xPr~O1 ． ． ． 9固溶体的Raman光谱与阻抗谱 林晓敏1,2 万鹏1，朱丽丽1t闫石 ，苏文辉2,3,4 f1．北华大学物理学院，吉林 132013；2．吉林大学物理学院，长春 130023：3．哈尔滨工业大学，凝聚态科学与 技术中心，哈尔滨 150001；4．中国科学研究院，国际材料物理中心，沈阳 110015) 摘 要：用溶胶一凝胶法合成 了氧化铈稀土双掺杂 Ceo8Ndo2POl9f O，0．10，0．15)固溶体。用 X射线衍射(x。raydiffraction，XRD)，Raman光 谱和交流阻抗谱研究了固溶体的结构和导电性。XRD结果表明：经800℃焙烧所有的样品都形成 了单相立方萤石结构，平均 晶粒尺寸为22~32nnl。 x射线光电子能谱结果表明：样品中镨离子以混合价态(Pr和Pr4)存在。Raman谱结果表明：CeosNdo2 O 具有氧缺位的立方萤石结构，pr离子 的掺杂有利于氧缺位增加。阻抗谱表明：稀土双掺杂ce08Ndo2~PrxO19 =0．10，0．15)的电导率高于稀土单掺样品Ce0sNod2O19的，Ceo8Nodo5Prol5O19 的电导率最大，在 600℃时的电导率为 2．63x1O S／cm，导电活化能丘：O．40eV(600~800℃)， =0．62eV(400~600℃)，与 CeosNdoosProI5OI9材料 内部更多的氧离子缺位和小极化子电子导电相关。 关键词：铈钕镨化合物；氧缺位；Raman谱；阻抗谱 中图分类号：0641．33 文献标志码：A 文章编号：0454-5648(2009)09r1469_o6 RA A【N SPECTRAAND IM PEDANCE SPECTRA oFSoLID SoLUTIoN Ceo．sNdo．2 P o1．9 LINXiaomin-一，WANPeng ，ZHULili，‘YANShi，SU Wenhui2，， (1．CollegeofPhysics，BeihuaUniversity,Jilin132013；2．CollegeofPhysics，JilinUniversiyt,Changchun，130023；3．Centerof CondensedM atterScienceandTechnology,HarbinInstituteofTechn ology,Hrabin150001；4．CenterofnItemational MaterialPhysicsReserch，ChineseAcademyofScience，Shenyang110015，China) Abstract：Rareearthco—dopedceriaCe0sNdo2 P 019 =0，0．10，0．15)solidsolutionsweresynthesizedbythesol—gelmehtod．The ． ． structurenadconductiviytwerecharacterizedbyX—raydiffraction(XRD)nadRamannadimpedancespect