Vacuum relaxation and annealing-induced enhancement of mobility of regioregular poly（3-hexylthiophene） field-effect transistors.pdf

下载文档 降价啦

2
0
约2.39万字
约 6页
2017-09-13 发布于湖北
举报
版权申诉
保障服务

Vacuum relaxation and annealing-induced enhancement of mobility of regioregular poly（3-hexylthiophene） field-effect transistors.pdf

1、原创力文档（book118）网站文档一经付费（服务费），不意味着购买了该文档的版权，仅供个人/单位学习、研究之用，不得用于商业用途，未经授权，严禁复制、发行、汇编、翻译或者网络传播等，侵权必究。。
2、本站所有内容均由合作方或网友上传，本站不对文档的完整性、权威性及其观点立场正确性做任何保证或承诺！文档内容仅供研究参考，付费前请自行鉴别。如您付费，意味着您自己接受本站规则且自行承担风险，本站不退款、不进行额外附加服务；查看《如何避免下载的几个坑》。如果您已付费下载过本站文档，您可以点击这里二次下载。
3、如文档侵犯商业秘密、侵犯著作权、侵犯人身权等，请点击“版权申诉”（推荐），也可以打举报电话：400-050-0827(电话支持时间：9:00-18:30)。

Vol18 No 11，N ovember 2009 ChinesePhysicsB ④an2d00l9OPCPhiunb．lPishhyinsg．SLotcd． 1674—1o56／2009／18(11)／5078—06 V_acuuin relaxat·i■on and1anneal1l●ng—l●nQ1ucea1 1 J ，- 1 ● 1 ● J ，● ● 1 ennanceinent otni ot)lllgY otregloregular 一、- ，、_， poly(3_hexylthiophene)field—e cttransistors木 TianXue一Ln(田雪雁)，XuZheng(徐征)，Zhaosll_Ling(赵谡玲)， ZhangFu—Jun(张福俊)，XuXu—Rong(徐叙珞)，YuanGuang—cai(袁广才) LiJing(李婧)，SunQin—Jun(孙钦军)，andWangYing(T 贽) InstituteofOptoelectronicsTechnology,BeijingJiaotongUniversity,Beijing100044，China KeyLaboratoryofLuminescenceandOpticalInformationrBeijingJiaotongUniversity)． MinistryofEducation，Beijing100044China (Received1February2009；revisedmanuscriptreceived11March2009) Inordertoenhancetheperformanceofregioregularpoly(3_hexylthi0phene)(RR—P3HT)field—effecttransistors (FETs)，RR—P3HTFETsarepreparedbythespin—coatingmethodfollowedbyvacuumplacementandannealing．This paperreportsthatthecrystalstructure，themoleculeinterconnection，thesurfacemorphology，and thechargecarrier mobilityofRR—P3HT filmsareaffected by vacuum relaxation and annealing．Theresultsrevealthatthefield—e仃ect mobilityofRR-P3HT FETscanreach4．17×10-2m ／fV ．s1byvacuum relaxationatroom temperatureduetoan enhanced localself-organization．Furthermore，itreportsthatanappropriateannealingtemperaturecan facilitatethe crystalstructure，theorientationandtheinterc0nnectionofpolymermolecules．Theseresultsshow thatthefield—effect mobility ofdeviceannealed at150。C fori0minutesinvacuum atatmosphereand followedby placementofr20ho