射频溅射沉积不同厚度Ca膜退火直接形成Ca2Si膜.pdfVIP

第27卷 第5期 材 料 科 学 与 工 程 学 报 总第121期 Vo1．27 No．5 JournalofMaterialsSeience Engineering Oct．2009 ArticleID：1673-2812(2009)05-0675-04 SelectiveGrowthofCazSiFilm byAnnealingtheSputtered CaFilmswithDifferentThickness YANGYin—ye一．XIEQuan (1．CollegeofElectronicScience InformationTechnology，GuizhouUniversity，Guiyang550025．China； 2．DepartmentofPhysics，GuizhouUniversityforEthnicMinorities，Guiyang550025，China) [Abstract] ’Cafilmswithdifferentthickness，weredepositeddirectlyonSi(100)substratesbyusingaradiofrequency (R．F．)magnetron sputteringsystem (MS)and then wereannealedat800℃ for45min．60minand90min ina vacuum furnaceforinterdiffusingthedepositedions，atomsandclustersandSiatoms．Thestructuralandmorphologicalfeaturesof thefilmsweretestedbyX-raydiffractometry (XRD)，scanningelectronmicroscopy(SEM)andenergydispersiveanalysisof X-rays(EDAX)．ThecubicCa2SiandtheorthorhombicCa2SiweregrowndirectlyandindividuallyonSi(100)substratesfor thefirsttime．TheexperimentalresultsindicatethattheselectivegrowthofasinglephaseCa-silicidedependsonthegrowth thicknessanddepositing thicknessbysputtering．Besides，800℃ istheadaptiveannealingtemperatureforgrowingCa2Si films．Additionally，annealingtimeisalsoaprincipalfactorforgrowingCa2Sifilms． [Keywords] Ca2Si；nucleation；semiconductingsilicide；annealing；magnetronsputtering CLC number：TN304．055 DocumentCode：A ， 射频溅射沉积不 同厚度 Ca膜退火直接形成 Ca2Si膜 杨吟野 ，谢 泉 (1．贵州大学 电子科学与信息技术学院，贵州 贵 阳 550025；2．贵州民族学院物理系 ，贵州 贵阳 550025) 【摘 要】 使用射频磁控溅射系统在恒定溅射功率、Ar气压和 Ar气流流量下，在 Si(100)衬底上 ，分别沉积 不 同厚度的Ca膜 。随后 ，800℃真空退火 45分钟、1小时和 1．5小时。半导体钙硅化物 ，即立方相 的Ca。Si膜和简 单正交相的Ca。Si膜首次、单独、直接生长在 Si(100