LED技术发展概述.pdfVIP

DOI：10．3969／j．issn．1001—3824．2011．03．012 LED技术发展概述 钟冬梅 (重庆邮电大学 光电工程学院，重庆 400065) 摘 要 ：介绍 了LED的技术发展过程 ，从材料 的发展到波长的扩展 ；从 GaN基蓝光 LED、荧光粉到 白光 LED的实 现 ；元件结构的改进对发光效率的提升 ；工艺的发展对单色功率的提升 。同时对封装材料及工艺的发展也做 了系 统的介绍。最后对LED技术发展 的趋势做 了预测。 关键词 ：LED技术 ；材料 ；蓝光 LED；发光效率 ；封装 正向偏置电压下，高浓度电子和空穴从 N型和P型 O 引 言 A1GaAs层注入到P型GaAs有源区。当有源区厚度 自19世纪 60年代 LED问世 以来，随着材料及 小于载流子扩散长度时 (有源 区厚度为 0．5～2 半导体工艺的发展，LED已开始应用于指示灯、数 m)，由于电中性条件要求，注入到导带的电子和注 字和文字显示，但性能参数 (如功率、光强、色温、发 入价带的空穴是相等的，且均匀分布在有源区中。 光效率等)的制约，局限了LED向照明领域的应用。 在电注入激励条件下，有源区内的电子和空穴产生 LED前期的技术研究重点在发光效率的提升上，中 辐射复合 (发射光子)和非辐射复合 (不发射光 期注重光束质量，后期则把主要关注点转向了封装 子) 。 散热。前期有关 LED发展的综述文章偏 向于介绍 2 LED的发展简介 LED优点及其在应用领域的发展现状，而较少涉及 技术层面的系统阐述。在大量 阅读近 1O年来国内 自1879年爱迪生发明白炽灯以来 ，人造照明光 外 LED的相关文献 ，重点关注近两年 国内外 LED 源经历了3个发展阶段：白炽灯、霓虹灯、高压气体 的发展情况 ，并参阅LED权威会议录的基础上 ，归 放 电灯。1993年 日本首先在蓝 CaN发光二极管上 纳出了LED技术层面的发展过程，目的旨在为 LED 获得技术突破 ，并于 1996年实现 白光 LED，近几年 研究及学习人员提供一定的参考。 正向第 4个照明光源的发展阶段——以白光 LED 为主的半导体绿色照明光源的方向发展 。。 1 半导体 LED的工作原理 得益于固体半导体产业材料、工艺、制造、封装 LED(1ightemittingdiode)，发光二极管，是一种 等一系列技术的飞速发展，白光 LED的发光效率先 固态的半导体器 件，它 是 由Ⅲ一Ⅳ族化合物，如 突破 60lHl／w，再达 100lm／W甚至更高，我们正大 GaAs，GaP，GaAsP等半导体制成，其核心是PN结， 步跨入大功率、高亮度 LED(HB—LED)照明时代。 因此它具有一般PN结的I—V特性。特别是，它可以 我们相信，随着荧光粉、混光等核心专利技术的突 直接把电转化为光，具有发光特性。 破，以及封装对光通量和热传导问题的克服，凭借 LED是典型的工作在正向偏置条件下的PN结 具有体积小、重量轻、功耗低、寿命长、反应速度快、 器件。由直接带隙半导体组成的P—P—N双异质结在 发光效率高、易于控制、节约能源且无污染等一系 列绿色优点，照明领域终将是HB—LED的天下。 收稿 日期 ；2011—03—14