Mn2+掺杂对VO纳米材料结构与电化学性能的影响25.pdfVIP

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2017-09-13 发布于重庆
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Mn2+掺杂对VO纳米材料结构与电化学性能的影响25.pdf

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第28 卷第 11 期无机材料学报 Vol. 28 No. 11 2013 年11 月 Journal of Inorganic Materials Nov., 2013 文章编号: 1000-324X(2013)11-1200-07 DOI: 10.3724/SP.J.1077.2013.13137 Mn2+掺杂对 V O 纳米材料结构与电化学性能的影响 2 5 1 1 1 1 1 1 1 李兆龙 , 孙华君 , 徐杰 , 张晓艳 , 黄胜男 , 朱泉峣 , 陈文 , Galina S. Zakharova2 (1. 武汉理工大学材料复合新技术国家重点实验室, 武汉430070; 2. 俄罗斯科学院乌拉尔分院固态化学研究所, 叶卡捷琳堡620990, 俄罗斯) 摘要: 以 V O 粉末、H O 和 Mn(CH COO) ·4H O 为原料, 采用水热法制备了纳米结构的锂离子电池阴极材料 2 5 2 2 3 2 2 Mn V O 。运用X 射线衍射(XRD)、X 射线光电子能谱分析(XPS)和扫描电镜(SEM)测试对制备的材料进行结构和 x 2 5 形貌表征, 并利用充放电测试和交流阻抗测试研究了样品的电化学性能。结果表明: 随着锰掺杂量的增加, V2O5 的正交晶型层状结构未发生改变, 其层间距逐渐扩大, 形貌由纳米短棒状向纳米带簇状变化。电化学测试表明: Mn2+ 掺杂提高了V O 的电化学性能, 其首次充放电效率由70.8%提高到90% 以上; Mn V O 经过90 次充放电循环后, 2 5 0.01 2 5 其容量仍为 192.2 mAh/g。Mn2+掺杂对 V O 电极材料的离子电导率有影响, Mn V O 离子电导率由未掺杂时的 2 5 0.02 2 5 6.27×10-4 -3 S/cm 提高到 1.58×10 S/cm 。关键词: Mn V O ; 电极材料; 离子掺杂; 电化学性能