O引言随着现代逆变技术的发展．开关电源正向着高频化、小型.pdfVIP

O 引言 随着现代逆变技术的发展．开关电源正向着高频化、小型化的方向发展：在此基础上开发出的三端隔离、脉 宽调制型反激式单片开关电源，集成了高压M0SFET、振荡器、脉宽调制器、闭环控制电路以及限流、过热保护 功能的集成芯片。以其为核心构成的单片开关电源外围电路简单，输入电压范围宽，达到85~265V，电能转换 效率达到90 ％，已被广泛应用于中小功率开关电源中。 TOPSwitch单片电源应用频率一般在20kHz 以上，这样对前级电路(通常是电网)带来很大的电磁干扰问题，危 及其他电气设备的正常运行；而且其本身产生的干扰直接危害到电子设备的正常工作。为此必须对电路进行电磁 兼容(EMC)设计，使电磁干扰问题限制在允许的范围内。 本文运用TOP224Y构成一款30W反激变换电路，对其进行了电磁兼容分析，并在多个方面实施EMC优化设 计，实验结果表明文中分析的有效性，为反激变换电路的EMC设汁提供了一定的理论根据。 1 电磁兼容分析 根据国际电工委员会(IEC)定义，电磁兼容性是电子设备的一种功能，电子设备在电磁环境中能完成其功能， 而不产生不能容忍的干扰。解决EMC 问题，主要考虑3 个要素，即噪声源、耦合途径、噪声接收机。因此，电 磁兼容没计的任务就是消弱千扰源的能量，隔离或减弱噪声耦合途径及提高设备对电磁干扰的抵抗能力。 1.1 共模、差模电路模型分析 单片开关电源的集成度很高，已经通过合理的设计将引线电感和寄生电容参数减小到比较小的水平。电路的 共模电磁干扰主要是漏一源电压和输出整流管反向恢复过程产生的，由于高频变压器的分布电容以及芯片对地分 布电容的影响，高频电流不能完全抵消，形成共模干扰，其电路模型如图1 所示。这种共模干扰可以通过EMI 滤波器的共扼电感和Y 电容提供高频电流对地泄放通道进行抑制。差模干扰电路模型如图2 所示，也可以通过E MI 滤波器的X 电容进行抑制。 1.2 高频变压器噪声 高频变压器是开关电源中实现能量储存、隔离输出、电压变换的重要元件，同时它的漏感和分布电容对电路 的性能带来不可忽略的影响。其等效电路模型如图3 所示。 当不考虑变压器的漏感以及开关动作时间时，高频工作下的MOSFET 产生的波形是一个标准的方波，如图4 所示。 而实际变压器制作中，绕组漏感是不可避免的，由于漏感的存在，当开关闭合时(ton)原边漏感储存了一定的 能量(与漏感大小和开关频率有关)，当开关关断时(从ton 到toff)储存在原边漏感中的能量释放，使得开关器件的 两端出现电压关断尖峰，叠加在直流高压V1 和感应反射电压VOR 上，可使MOSFET 的漏极电压超过700V， 影响开关工作的可靠性甚至损坏TOPSwitch 。考虑变压器漏感时实际电路的波形如图5 所示。 1.3 输出整流二极管的尖峰干扰 二极管导通时，在P 区和N 区分别有少数载流子电子和空穴导电，当突然加反向电压时，存储电荷在反向电 场作用下被复合，形成反向恢复电流。由于变压器次级漏感、引线电感及二极管的结电容，在关断电压上叠加了 一个衰减振荡电压，形成了关断电压尖峰，如图5 所示。对此可以通过外接RC 吸收电路抑制二极管电荷存储效 应所产生的浪涌电流。 电磁干扰有一定的标准，目前被世界广泛采用的是欧洲的EMC 标准，对于开关电源电路可以应用EN55022 标准曲线，如图6 中虚线所示。图6 中上面一条曲线是为考虑EMC 设计时的传导E-MI 测试曲线，可以看到干 扰强度严重超过标准，必须对电路进行相应的抗干扰设计。图7 是参加传导EMI 测试的反激变换电路，图7 中 虚线部分是考虑EMC 问题而添加的电路部分。 2 优化EMC 设计 2.1 输入侧EMC 设计 一般开关电源与电网直接相连，高频开关的两端产生浪涌电压，流过一定的浪涌电流，这个电流通过高频变 压器原边、直流电容和开关器件形成回路，产生高频辐射干扰；同时高频电流流过一次侧整流电路，产生的脉冲 电压叠加在电网电压上，形成差模干扰，对同一线路上的其他设备带来干扰。如图8 所示，在开关电源的电源输 入端安装电源滤波器可以起到抑制共模和差模干扰的作用。 从滤除电磁干扰的角度，EMI 滤波器实质是一个低通滤波器，对直流至截止频率(工频)的信号以最小衰减通过， 而对电磁干扰的频带给以尽可能高的衰减，通带与阻带之间的过渡带应尽量地陡。 由图8 推导分别得到共模、差模的插入损耗为 按前文的分析，理想EMI 滤波器应使共模插入损耗(ILCM)最大，而差模插入损耗(ILDM)最小，从图6 可以看 出，EMI 滤波器在10MHz 时噪声超出标准